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1N5818

产品描述1 A, 30 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-204AL
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小115KB,共3页
制造商Microsemi
官网地址https://www.microsemi.com
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1N5818概述

1 A, 30 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-204AL

1N5818规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Microsemi
包装说明O-PALF-W2
Reach Compliance Codeunknown
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)0.875 V
JESD-30 代码O-PALF-W2
JESD-609代码e0
最大非重复峰值正向电流25 A
元件数量1
端子数量2
最高工作温度125 °C
最低工作温度-65 °C
最大输出电流1 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压30 V
表面贴装NO
技术SCHOTTKY
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式WIRE
端子位置AXIAL

1N5818相似产品对比

1N5818 VSK130 VSK120 VSK140 1N5817
描述 1 A, 30 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-204AL 1 A, 30 V, SILICON, SIGNAL DIODE 1 A, 20 V, SILICON, SIGNAL DIODE 1 A, 40 V, SILICON, SIGNAL DIODE RECTIFIER DIODE,SCHOTTKY,20V V(RRM),DO-41
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合
厂商名称 Microsemi Microsemi Microsemi Microsemi Microsemi
Reach Compliance Code unknown unknown unknow unknow unknown
外壳连接 ISOLATED ISOLATED ISOLATED ISOLATED ISOLATED
配置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
二极管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON
二极管类型 RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF) 0.875 V 0.85 V 0.85 V 0.85 V 0.75 V
JESD-30 代码 O-PALF-W2 O-PALF-W2 O-PALF-W2 O-PALF-W2 O-PALF-W2
JESD-609代码 e0 e0 e0 e0 e0
最大非重复峰值正向电流 25 A 40 A 40 A 40 A 25 A
元件数量 1 1 1 1 1
端子数量 2 2 2 2 2
最高工作温度 125 °C 150 °C 150 °C 150 °C 125 °C
最低工作温度 -65 °C -65 °C -65 °C -65 °C -65 °C
最大输出电流 1 A 1 A 1 A 1 A 1 A
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 ROUND ROUND ROUND ROUND ROUND
封装形式 LONG FORM LONG FORM LONG FORM LONG FORM LONG FORM
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
最大重复峰值反向电压 30 V 30 V 20 V 40 V 20 V
表面贴装 NO NO NO NO NO
技术 SCHOTTKY SCHOTTKY SCHOTTKY SCHOTTKY SCHOTTKY
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 WIRE WIRE WIRE WIRE WIRE
端子位置 AXIAL AXIAL AXIAL AXIAL AXIAL
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