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MT59L256L18FB-7TR

产品描述Late-Write SRAM, 256KX18, 8ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, 1.27 MM PITCH, BGA-119
产品类别存储   
文件大小1017KB,共27页
制造商Micron Technology
官网地址http://www.mdtic.com.tw/
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MT59L256L18FB-7TR概述

Late-Write SRAM, 256KX18, 8ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, 1.27 MM PITCH, BGA-119

MT59L256L18FB-7TR规格参数

参数名称属性值
厂商名称Micron Technology
零件包装代码BGA
包装说明BGA,
针数119
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码3A991.B.2.A
Is SamacsysN
最长访问时间8 ns
其他特性BYTE WRITE
JESD-30 代码R-PBGA-B119
JESD-609代码e1
长度22 mm
内存密度4718592 bit
内存集成电路类型LATE-WRITE SRAM
内存宽度18
功能数量1
端子数量119
字数262144 words
字数代码256000
工作模式SYNCHRONOUS
组织256KX18
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码BGA
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY
并行/串行PARALLEL
认证状态Not Qualified
座面最大高度2.4 mm
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)3.1 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装YES
技术CMOS
端子面层TIN SILVER COPPER
端子形式BALL
端子节距1.27 mm
端子位置BOTTOM
宽度14 mm
Base Number Matches1
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