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IDT71V3556S200BGG8

产品描述ZBT SRAM, 128KX36, 3.2ns, CMOS, PBGA119
产品类别存储   
文件大小3MB,共28页
制造商IDT (Integrated Device Technology)
标准
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IDT71V3556S200BGG8概述

ZBT SRAM, 128KX36, 3.2ns, CMOS, PBGA119

IDT71V3556S200BGG8规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称IDT (Integrated Device Technology)
Reach Compliance Codeunknown
Is SamacsysN
最长访问时间3.2 ns
最大时钟频率 (fCLK)200 MHz
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-PBGA-B119
JESD-609代码e1
内存密度4718592 bit
内存集成电路类型ZBT SRAM
内存宽度36
湿度敏感等级3
端子数量119
字数131072 words
字数代码128000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织128KX36
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码BGA
封装等效代码BGA119,7X17,50
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY
并行/串行PARALLEL
电源3.3 V
认证状态Not Qualified
最大待机电流0.04 A
最小待机电流3.14 V
最大压摆率0.4 mA
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式BALL
端子节距1.27 mm
端子位置BOTTOM
Base Number Matches1
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