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MJE803

产品描述Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plastic/Epoxy, 3 Pin, TO-126, 3 PIN
产品类别晶体管   
文件大小140KB,共2页
制造商Advanced Semiconductor, Inc.
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MJE803概述

Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plastic/Epoxy, 3 Pin, TO-126, 3 PIN

MJE803规格参数

参数名称属性值
厂商名称Advanced Semiconductor, Inc.
零件包装代码SIP
包装说明FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数3
Reach Compliance Codeunknown
Is SamacsysN
最大集电极电流 (IC)4 A
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)750
JEDEC-95代码TO-126
JESD-30 代码R-PSFM-T3
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
极性/信道类型NPN
最大功率耗散 (Abs)40 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)1 MHz
Base Number Matches1

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IPN= 0258354 0000056 631

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MJE803 MJE800
描述 Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plastic/Epoxy, 3 Pin, TO-126, 3 PIN Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plastic/Epoxy, 3 Pin, TO-126, 3 PIN
厂商名称 Advanced Semiconductor, Inc. Advanced Semiconductor, Inc.
零件包装代码 SIP SIP
包装说明 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数 3 3
Reach Compliance Code unknown unknown
最大集电极电流 (IC) 4 A 4 A
配置 SINGLE SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 750 750
JEDEC-95代码 TO-126 TO-126
JESD-30 代码 R-PSFM-T3 R-PSFM-T3
元件数量 1 1
端子数量 3 3
最高工作温度 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT
极性/信道类型 NPN NPN
最大功率耗散 (Abs) 40 W 40 W
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO NO
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE SINGLE
晶体管元件材料 SILICON SILICON
标称过渡频率 (fT) 1 MHz 1 MHz
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