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Datasheet> 器件分类 > 晶体管> MRF5711MLT1
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MRF5711MLT1

产品描述RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.08A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN
产品类别晶体管   
文件大小337KB，共1页
制造商ADPOW
官网地址http://www.advancedpower.com/
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MRF5711MLT1概述

RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.08A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN

MRF5711MLT1规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称ADPOW
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
Is SamacsysN
其他特性LOW NOISE
最大集电极电流 (IC)0.08 A
集电极-发射极最大电压10 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)50
最高频带ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码R-PDSO-G4
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量4
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）NOT SPECIFIED
极性/信道类型NPN
最大功率耗散 (Abs)0.333 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)8000 MHz
Base Number Matches1

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MMBR571MLT1/MRF5711MLT1
RF PRODUCTS
DIVISION
RF & MICROWAVE TRANSISTORS
DESCRIPTION
KEY FEATURES
W W W .
Microsemi
.COM
The MMBR571MLT1/MRF5711MLT1 are low noise, high gain, discrete
silicon bipolar transistors housed in low cost plastic packages.
!
High FTau-8GHz
!
Low noise-2.2dB@1GHz
PR
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
P
DISS
T
J
T
STG
R
TH(j-c)
Symbol
BV
CBO
BV
CEO
I
CBO
h
FE
Test
I
C
= .1mA
I
C
=.1mA
V
CB
= 8V
V
CE
= 5 V
Symbol
C
CB
FTau
NFmin
G
NF
S 21
2
IMPORTANT:
For the most current data, consult
MICROSEMI’s
website:
http://www.microsemi.com
!
Low cost SOT23/SOT143
package
APPLICATIONS/BENEFITS
APPLICATIONS/BENEFITS
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T
CASE
= 25
C)
Parameter
Collector-Base Voltage
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Base Voltage
Device Current
Power Dissipation
Junction Temperature
Storage Temperature
Junction-Case Thermal Resistance
Copyright 2000
CXXXX.PDF 2000-11-06
EL
THERMAL DATA
Value
20
10
2.5
80
333
150
-55 to +150
Unit
V
V
V
mA
mW
C
C
!
LNA, Oscillator, Pre-Driver
STATIC ELECTRICAL SPECIFICATIONS (TCASE = 25 C)
DYMANIC ELECTRICAL SPECIFICATIONS (TCASE = 25 C)
IN
IM
225
C/W
Conditions
I
E
= 0
I
B
= 0
I
E
= 0
I
C
= 30mA
Min.
20
10
50
Typ.
Conditions
= 1.0 GHz
= 1.0 GHz
= 1.0 GHz
= 1.0 GHz
SOT-143
SOT-23
MMBR571MLT1 MRF5711MLT1
Max.
10
300
Units
V
V
uA
Y
AR
Typ.
0.7
8.0
2.2
11.5
10
Max.
Units
PF
GHz
MMBR571MLT1/MRF5711MLT1
Test
V
CB
= 10 V
f
= 1.0 MHz
V
CE
= 5 V I
C
= 50 mA
f
V
CE
= 6 V I
C
= 10 mA
f
V
CE
= 6 V I
C
= 10 mA
f
V
CE
= 6 V I
C
= 10 mA
f
Min.
dB
dB
dB
RF Products Division
140 Commerce Drive, Montgomeryville PA 18936, (215) 631-9840, Fax: (215) 631-9855
Microsemi
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MRF5711MLT1相似产品对比

MRF5711MLT1 MMBR571MLT1
描述 RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.08A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.08A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN
是否Rohs认证 不符合 不符合
厂商名称 ADPOW ADPOW
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99
其他特性 LOW NOISE LOW NOISE
最大集电极电流 (IC) 0.08 A 0.08 A
集电极-发射极最大电压 10 V 10 V
配置 SINGLE SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 50 50
最高频带 ULTRA HIGH FREQUENCY BAND ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码 R-PDSO-G4 R-PDSO-G3
JESD-609代码 e0 e0
元件数量 1 1
端子数量 4 3
最高工作温度 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度） NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
极性/信道类型 NPN NPN
最大功率耗散 (Abs) 0.333 W 0.333 W
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES YES
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 GULL WING GULL WING
端子位置 DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
晶体管应用 AMPLIFIER AMPLIFIER
晶体管元件材料 SILICON SILICON
标称过渡频率 (fT) 8000 MHz 8000 MHz
Base Number Matches 1 1

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