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BUZ45

产品描述Power Field-Effect Transistor, 9.6A I(D), 500V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204AA
产品类别晶体管   
文件大小196KB，共5页
制造商SIEMENS
官网地址http://www.infineon.com/
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BUZ45概述

Power Field-Effect Transistor, 9.6A I(D), 500V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204AA

BUZ45规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称SIEMENS
包装说明FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2
Reach Compliance Codeunknown
Is SamacsysN
外壳连接DRAIN
配置SINGLE
最小漏源击穿电压500 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)9.6 A
最大漏极电流 (ID)9.6 A
最大漏源导通电阻0.6 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)170 pF
JEDEC-95代码TO-204AA
JESD-30 代码O-MBFM-P2
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量2
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料METAL
封装形状ROUND
封装形式FLANGE MOUNT
极性/信道类型N-CHANNEL
功耗环境最大值125 W
最大功率耗散 (Abs)125 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)38 A
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式PIN/PEG
端子位置BOTTOM
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
最大关闭时间（toff）570 ns
最大开启时间（吨）195 ns
Base Number Matches1

BUZ45相似产品对比

BUZ45 BUZ45B BUZ45A BUZ84A BUZ53A BUZ84 BUZ36 BUZ16 BUZ54 BUZ54A
描述 Power Field-Effect Transistor, 9.6A I(D), 500V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204AA Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 500V, 0.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204AA Power Field-Effect Transistor, 8.3A I(D), 500V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204AA Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 800V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204AA Power Field-Effect Transistor, 2.6A I(D), 1000V, 5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204AA Power Field-Effect Transistor, 5.3A I(D), 800V, 2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204AA Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 200V, 0.12ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204AE Power Field-Effect Transistor, 48A I(D), 50V, 0.018ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204AA Power Field-Effect Transistor, 5.1A I(D), 1000V, 2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204AA Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 1000V, 2.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204AA
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合
包装说明 FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2 FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2 FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2 FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2 FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2 FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2 FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2 FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2 FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2 FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown unknown unknown unknown unknown unknown unknown
外壳连接 DRAIN DRAIN DRAIN DRAIN DRAIN DRAIN DRAIN DRAIN DRAIN DRAIN
配置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
最小漏源击穿电压 500 V 500 V 500 V 800 V 1000 V 800 V 200 V 50 V 1000 V 1000 V
最大漏极电流 (Abs) (ID) 9.6 A 10 A 8.3 A 6 A 2.6 A 5.3 A 22 A 60 A 5.1 A 4.5 A
最大漏极电流 (ID) 9.6 A 10 A 8.3 A 6 A 2.6 A 5.3 A 22 A 48 A 5.1 A 4.5 A
最大漏源导通电阻 0.6 Ω 0.5 Ω 0.8 Ω 1.5 Ω 5 Ω 2 Ω 0.12 Ω 0.018 Ω 2 Ω 2.6 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss) 170 pF 170 pF 170 pF 140 pF 55 pF 140 pF 200 pF 750 pF 40 pF 40 pF
JEDEC-95代码 TO-204AA TO-204AA TO-204AA TO-204AA TO-204AA TO-204AA TO-204AE TO-204AA TO-204AA TO-204AA
JESD-30 代码 O-MBFM-P2 O-MBFM-P2 O-MBFM-P2 O-MBFM-P2 O-MBFM-P2 O-MBFM-P2 O-MBFM-P2 O-MBFM-P2 O-MBFM-P2 O-MBFM-P2
JESD-609代码 e0 e0 e0 e0 e0 e0 e0 e0 e0 e0
元件数量 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1
端子数量 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C
封装主体材料 METAL METAL METAL METAL METAL METAL METAL METAL METAL METAL
封装形状 ROUND ROUND ROUND ROUND ROUND ROUND ROUND ROUND ROUND ROUND
封装形式 FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL
功耗环境最大值 125 W 125 W 125 W 125 W 75 W 125 W 125 W 125 W 125 W 125 W
最大功率耗散 (Abs) 125 W 125 W 125 W 125 W 75 W 125 W 125 W 125 W 125 W 125 W
最大脉冲漏极电流 (IDM) 38 A 40 A 33 A 24 A 10 A 21 A 88 A 192 A 20 A 18 A
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO NO NO NO NO NO NO NO NO NO
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 PIN/PEG PIN/PEG PIN/PEG PIN/PEG PIN/PEG PIN/PEG PIN/PEG PIN/PEG PIN/PEG PIN/PEG
端子位置 BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON
最大关闭时间（toff） 570 ns 570 ns 570 ns 570 ns 220 ns 570 ns 440 ns 890 ns 690 ns 690 ns
最大开启时间（吨） 195 ns 195 ns 195 ns 230 ns 105 ns 230 ns 155 ns 290 ns 205 ns 205 ns
厂商名称 SIEMENS SIEMENS SIEMENS - SIEMENS SIEMENS SIEMENS SIEMENS SIEMENS SIEMENS

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