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ASI10695

产品描述RF Power Bipolar Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN,
产品类别晶体管   
文件大小17KB,共1页
制造商Advanced Semiconductor, Inc.
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ASI10695概述

RF Power Bipolar Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN,

ASI10695规格参数

参数名称属性值
厂商名称Advanced Semiconductor, Inc.
包装说明FLANGE MOUNT, O-CXFM-F6
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
Is SamacsysN
最大集电极电流 (IC)1 A
基于收集器的最大容量30 pF
集电极-发射极最大电压35 V
配置SINGLE
最高频带ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码O-CXFM-F6
元件数量1
端子数量6
最高工作温度200 °C
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状ROUND
封装形式FLANGE MOUNT
极性/信道类型NPN
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式FLAT
端子位置UNSPECIFIED
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

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UML25F
NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR
DESCRIPTION:
The
ASI UML25F
is Designed for
PACKAGE STYLE .500 6L FLG
C
A
2x ØN
FULL R
D
FEATURES:
Omnigold™
Metalization System
B
E
.725/18,42
F
K
M
L
MAXIMUM
inches / mm
MAXIMUM RATINGS
I
C
V
CBO
V
CEO
V
CES
V
EBO
P
DISS
T
J
T
STG
θ
JC
1.0 A
DIM
G
H
MINIMUM
inches / mm
J
I
65 V
35 V
65 V
4.0 V
13 W @ T
C
= 25 C
-65
O
C to +200
O
C
-65 C to +150 C
2.5
O
C/W
O
O
O
A
B
C
D
E
F
G
H
I
J
K
L
M
N
.150 / 3.43
.045 / 1.14
.210 / 5.33
.835 / 21.21
.200 / 5.08
.490 / 12.45
.003 / 0.08
.125 / 3.18
.725 / 18.42
.970 / 24.64
.090 / 2.29
.150 / 3.81
.160 / 4.06
.220 / 5.59
.865 / 21.97
.210 / 5.33
.510 / 12.95
.007 / 0.18
.980 / 24.89
.105 / 2.67
.170 / 4.32
.285 / 7.24
.120 / 3.05
.135 / 3.43
ORDER CODE: ASI10695
CHARACTERISTICS
SYMBOL
BV
CBO
BV
CES
BV
CEO
BV
EBO
I
CBO
h
FE
C
ob
P
G
η
D
T
C
= 25 C
O
NONETEST
CONDITIONS
I
C
= 200 mA
I
C
= 200 mA
I
C
= 200 mA
I
E
= 10 mA
V
CB
= 30 V
V
CE
= 5.0 V
V
CB
= 30 V
V
CC
= 28 V
P
OUT
= 25 W
I
C
= 200 mA
f = 1.0 MHz
f = 400 MHz
MINIMUM TYPICAL MAXIMUM
65
65
35
4.0
1.0
5.0
---
30
10
60
UNITS
V
V
V
V
mA
---
pF
dB
%
A D V A N C E D S E M I C O N D U C T O R, I N C.
7525 ETHEL AVENUE
NORTH HOLLYWOOD, CA 91605
(818) 982-1200
FAX (818) 765-3004
Specifications are subject to change without notice.
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