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ASI10684

产品描述RF Power Bipolar Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN,
产品类别晶体管   
文件大小17KB,共1页
制造商Advanced Semiconductor, Inc.
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ASI10684概述

RF Power Bipolar Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN,

ASI10684规格参数

参数名称属性值
厂商名称Advanced Semiconductor, Inc.
包装说明FLANGE MOUNT, O-CXFM-F6
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
Is SamacsysN
最大集电极电流 (IC)8 A
基于收集器的最大容量110 pF
集电极-发射极最大电压16 V
配置SINGLE
最高频带ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码O-CXFM-F6
元件数量1
端子数量6
最高工作温度200 °C
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状ROUND
封装形式FLANGE MOUNT
极性/信道类型NPN
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式FLAT
端子位置UNSPECIFIED
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

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ULBM35
NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR
DESCRIPTION:
The
ASI ULBM35
is Designed for
PACKAGE STYLE .500 6L FLG
C
A
2x ØN
FEATURES:
Omnigold™
Metalization System
FULL R
D
B
G
.725/18,42
F
E
K
M
L
MAXIMUM RATINGS
DIM
H
MINIMUM
inches / mm
J
I
MAXIMUM
inches / mm
I
C
V
CBO
V
CEO
V
EBO
P
DISS
T
J
T
STG
θ
JC
O
O
8.0 A
36 V
16 V
4.0 V
117 W @ T
C
= 25 C
-65 C to +200 C
-65 C to +150 C
1.5
O
C/W
O
O
O
A
B
C
D
E
F
G
H
I
J
K
L
M
N
.150 / 3.43
.045 / 1.14
.210 / 5.33
.835 / 21.21
.200 / 5.08
.490 / 12.45
.003 / 0.08
.125 / 3.18
.725 / 18.42
.970 / 24.64
.090 / 2.29
.150 / 3.81
.160 / 4.06
.220 / 5.59
.865 / 21.97
.210 / 5.33
.510 / 12.95
.007 / 0.18
.980 / 24.89
.105 / 2.67
.170 / 4.32
.285 / 7.24
.120 / 3.05
.135 / 3.43
ORDER CODE: ASI10684
CHARACTERISTICS
SYMBOL
BV
CEO
BV
CES
BV
EBO
I
CES
h
FE
C
ob
P
G
η
C
I
C
= 50 mA
I
C
= 15 mA
T
C
= 25 C
O
NONETEST
CONDITIONS
MINIMUM TYPICAL MAXIMUM
16
36
4.0
5
UNITS
V
V
V
mA
---
pF
dB
I
E
= 5.0 mA
V
CE
= 12.5 V
V
CE
= 5.0 V
V
CB
= 12.5 V
V
CC
= 12.5 V
P
OUT
= 35 W
I
C
= 1.0 A
f = 1.0 MHz
f = 470 MHz
20
---
110
6.0
60
%
A D V A N C E D S E M I C O N D U C T O R, I N C.
7525 ETHEL AVENUE
NORTH HOLLYWOOD, CA 91605
(818) 982-1200
FAX (818) 765-3004
Specifications are subject to change without notice.
REV. A
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