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ASI10682

产品描述RF Power Bipolar Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN, 0.280 INCH, STUD PACKAGE-4
产品类别晶体管   
文件大小16KB,共1页
制造商Advanced Semiconductor, Inc.
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ASI10682概述

RF Power Bipolar Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN, 0.280 INCH, STUD PACKAGE-4

ASI10682规格参数

参数名称属性值
厂商名称Advanced Semiconductor, Inc.
包装说明POST/STUD MOUNT, O-XRPM-F4
针数4
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
Is SamacsysN
最大集电极电流 (IC)2.5 A
基于收集器的最大容量25 pF
集电极-发射极最大电压16 V
配置SINGLE
最高频带ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码O-XRPM-F4
元件数量1
端子数量4
最高工作温度200 °C
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状ROUND
封装形式POST/STUD MOUNT
极性/信道类型NPN
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式FLAT
端子位置RADIAL
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

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ULBM10
NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR
DESCRIPTION:
The
ASI ULBM10
is Designed for
PACKAGE STYLE .280 4L STUD
FEATURES:
Omnigold™
Metalization System
B
A
45°
D
C
J
MAXIMUM RATINGS
E
I
I
C
V
CBO
V
CEO
V
CES
V
EBO
P
DISS
T
J
T
STG
θ
JC
O
O
2.5 A
36 V
16 V
36 V
4.0 V
58 W @ T
C
= 25
O
C
-65 C to +200 C
-65 C to +150 C
7.0
O
C/W
O
O
DIM
A
B
C
D
E
F
G
H
I
J
K
F
G
H
K
MINIMUM
inches / mm
#8-32 UNC
MAXIMUM
inches / mm
1.010 / 25.65
.220 / 5.59
.270 / 6.86
.003 / 0.08
.117 / 2.97
.572 / 14.53
.130 / 3.30
.245 / 6.22
.640 / 16.26
.175 / 4.45
.275 / 6.99
1.055 / 26.80
.230 /5.84
.285 / 7.24
.007 / 0.18
.137 / 3.48
.255 / 6.48
.217 / 5.51
.285 / 7.24
ORDER CODE: ASI10682
CHARACTERISTICS
SYMBOL
BV
CEO
BV
CES
BV
EBO
I
CEO
I
CES
h
FE
C
ob
P
G
η
C
I
C
= 20 mA
I
C
= 25 mA
I
E
= 10 mA
V
CB
= 15 V
T
C
= 25 C
O
NONETEST
CONDITIONS
MINIMUM TYPICAL MAXIMUM
16
36
4.0
2.0
3.0
UNITS
V
V
V
mA
mA
---
pF
dB
V
CE
= 10 V
V
CE
= 5.0 V
V
CB
= 12.5 V
V
CC
= 12.5 V
P
OUT
= 10 W
I
C
= 1.0 A
f = 1.0 MHz
f = 470 MHz
7.0
60
10
---
25
%
A D V A N C E D S E M I C O N D U C T O R, I N C.
7525 ETHEL AVENUE
NORTH HOLLYWOOD, CA 91605
(818) 982-1200
FAX (818) 765-3004
Specifications are subject to change without notice.
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