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FX852TL

产品描述Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 30V, 0.38ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
产品类别晶体管   
文件大小55KB,共1页
制造商SANYO
官网地址http://www.semic.sanyo.co.jp/english/index-e.html
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FX852TL概述

Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 30V, 0.38ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

FX852TL规格参数

参数名称属性值
厂商名称SANYO
包装说明FLATPACK, R-PDFP-F6
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
Is SamacsysN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压30 V
最大漏极电流 (ID)2 A
最大漏源导通电阻0.38 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-PDFP-F6
元件数量1
端子数量6
工作模式DEPLETION MODE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLATPACK
极性/信道类型N-CHANNEL
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式FLAT
端子位置DUAL
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1
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