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ASI10612

产品描述RF Power Bipolar Transistor, 1-Element, High Frequency Band, Silicon, NPN, 0.500 INCH, FM-4
产品类别晶体管   
文件大小22KB,共2页
制造商Advanced Semiconductor, Inc.
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ASI10612概述

RF Power Bipolar Transistor, 1-Element, High Frequency Band, Silicon, NPN, 0.500 INCH, FM-4

ASI10612规格参数

参数名称属性值
厂商名称Advanced Semiconductor, Inc.
包装说明FLANGE MOUNT, O-CRFM-F4
针数4
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
Is SamacsysN
最大集电极电流 (IC)10 A
基于收集器的最大容量220 pF
集电极-发射极最大电压55 V
配置SINGLE
最高频带HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码O-CRFM-F4
元件数量1
端子数量4
最高工作温度200 °C
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状ROUND
封装形式FLANGE MOUNT
极性/信道类型NPN
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式FLAT
端子位置RADIAL
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

 
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