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ASI10588

产品描述RF Power Bipolar Transistor, 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, NPN, 0.500 INCH, FM-4
产品类别晶体管   
文件大小17KB,共1页
制造商Advanced Semiconductor, Inc.
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ASI10588概述

RF Power Bipolar Transistor, 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, NPN, 0.500 INCH, FM-4

ASI10588规格参数

参数名称属性值
厂商名称Advanced Semiconductor, Inc.
包装说明FLANGE MOUNT, O-CRFM-F4
针数4
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
Is SamacsysN
其他特性BUILT IN EMITTER BALLAST RESISTOR
最大集电极电流 (IC)16 A
基于收集器的最大容量140 pF
集电极-发射极最大电压25 V
配置SINGLE
最高频带VERY HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码O-CRFM-F4
元件数量1
端子数量4
最高工作温度200 °C
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状ROUND
封装形式FLANGE MOUNT
极性/信道类型NPN
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式FLAT
端子位置RADIAL
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

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FMB150
NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR
DESCRIPTION:
The
ASI FMB150
is Designed for
PACKAGE STYLE .500 4L FLG
.112x45°
A
FULL R
Ø.125 NOM.
L
FEATURES:
Omnigold™
Metalization System
C
B
MAXIMUM RATINGS
I
C
V
CBO
V
CEO
V
CES
V
EBO
P
DISS
T
J
T
STG
θ
JC
16 A
60 V
25 V
60 V
4.0 V
230 W @ T
C
= 25
O
C
-65
O
C to +200
O
C
-65
O
C to +150
O
C
1.1
O
C/W
DIM
A
B
C
D
E
F
G
H
I
J
K
L
E
H
D
G
F
K
I J
MINIMUM
inches / mm
MAXIMUM
inches / mm
.220 / 5.59
.125 / 3.18
.245 / 6.22
.720 / 18.28
.125 / 3.18
.970 / 24.64
.495 / 12.57
.003 / 0.08
.090 / 2.29
.150 / 3.81
.230 / 5.84
.255 / 6.48
.7.30 / 18.54
.980 / 24.89
.505 / 12.83
.007 / 0.18
.110 / 2.79
.175 / 4.45
.280 / 7.11
.980 / 24.89
1.050 / 26.67
ORDER CODE: ASI10588
O
CHARACTERISTICS
SYMBOL
BV
CBO
BV
CER
BV
CEO
BV
EBO
h
FE
C
OB
P
G
η
C
T
C
= 25 C
NONETEST
CONDITIONS
I
C
= 100 mA
I
C
= 100 mA
I
C
= 100 mA
I
E
= 20 mA
V
CE
= 5.0 V
V
CB
= 28 V
V
CC
= 28 V
P
OUT
= 150 W
I
C
= 1.0 A
f = 1.0 MHz
f = 108 MHz
R
BE
= 10
MINIMUM TYPICAL MAXIMUM
60
55
25
4.0
20
150
140
9.0
65
UNITS
V
V
V
V
---
pF
dB
%
A D V A N C E D S E M I C O N D U C T O R, I N C.
7525 ETHEL AVENUE
NORTH HOLLYWOOD, CA 91605
(818) 982-1200
FAX (818) 765-3004
Specifications are subject to change without notice.
REV. A
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