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ASI10555

产品描述RF Power Bipolar Transistor, 1-Element, L Band, Silicon, NPN,
产品类别晶体管   
文件大小15KB,共1页
制造商Advanced Semiconductor, Inc.
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ASI10555概述

RF Power Bipolar Transistor, 1-Element, L Band, Silicon, NPN,

ASI10555规格参数

参数名称属性值
厂商名称Advanced Semiconductor, Inc.
包装说明DISK BUTTON, O-CRDB-F4
Reach Compliance Codeunknown
Is SamacsysN
配置SINGLE
最高频带L BAND
JESD-30 代码O-CRDB-F4
元件数量1
端子数量4
最高工作温度200 °C
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状ROUND
封装形式DISK BUTTON
极性/信道类型NPN
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式FLAT
端子位置RADIAL
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

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AVD004P
NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR
PACKAGE STYLE .280 4L PILL(A)
DESCRIPTION:
The
ASI AVD004P
is Designed for
A
.100x45°
FEATURES:
Omnigold™
Metalization System
C
B
ØG
D
MAXIMUM RATINGS
I
C
V
CB
P
DISS
T
J
T
STG
θ
JC
650 mA
PEAK
32 V
18 W
PEAK
DIM
A
B
C
D
E
F
G
.275 / 6.99
MINIMUM
inches / mm
inches / mm
E
F
MAXIMUM
.105 / 2.67
.205 / 5.21
.095 / 2.41
.195 / 4.95
1.000 / 25.40
.004 / 0.10
.050 / 1.27
-65
O
C to +200
O
C
-65 C to +150 C
5.0
O
C/W
O
O
.007 / 0.18
.065 / 1.65
.145 / 3.68
.285 / 7.21
ORDER CODE: ASI10555
CHARACTERISTICS
SYMBOL
BV
CBO
BV
CER
BV
EBO
I
CES
h
FE
P
G
η
C
I
C
= 1 mA
I
C
= 5 mA
I
E
= 1 mA
V
CE
= 28 V
T
C
= 25 C
O
NONETEST
CONDITIONS
R
BE
= 10
MINIMUM TYPICAL MAXIMUM
45
45
3.5
1.0
UNITS
V
V
V
mA
---
dB
%
V
CE
= 5.0 V
V
CC
= 28 V
MHz
I
C
= 200 mA
P
OUT
= 4.0 W
f = 1025 - 1150
30
9.0
35
300
A D V A N C E D S E M I C O N D U C T O R, I N C.
7525 ETHEL AVENUE
NORTH HOLLYWOOD, CA 91605
(818) 982-1200
FAX (818) 765-3004
Specifications are subject to change without notice
.
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