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ASI10550

产品描述RF Power Bipolar Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN, 0.400 INCH, FM-4
产品类别晶体管   
文件大小18KB,共1页
制造商Advanced Semiconductor, Inc.
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ASI10550概述

RF Power Bipolar Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN, 0.400 INCH, FM-4

ASI10550规格参数

参数名称属性值
厂商名称Advanced Semiconductor, Inc.
包装说明FLANGE MOUNT, R-CDFM-F4
针数4
Reach Compliance Codeunknown
Is SamacsysN
最大集电极电流 (IC)43.2 A
配置SINGLE
最高频带ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码R-CDFM-F4
元件数量1
端子数量4
最高工作温度200 °C
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
极性/信道类型NPN
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式FLAT
端子位置DUAL
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1
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