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Datasheet> 器件分类 > 晶体管> ASI10533
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ASI10533

产品描述RF Power Bipolar Transistor, 1-Element, S Band, Silicon, NPN, 0.310 INCH, FM-2
产品类别晶体管   
文件大小17KB，共1页
制造商Advanced Semiconductor, Inc.
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ASI10533概述

RF Power Bipolar Transistor, 1-Element, S Band, Silicon, NPN, 0.310 INCH, FM-2

ASI10533规格参数

参数名称属性值
厂商名称Advanced Semiconductor, Inc.
包装说明FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2
针数2
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
Is SamacsysN
最大集电极电流 (IC)0.6 A
集电极-发射极最大电压28 V
配置SINGLE
最高频带S BAND
JESD-30 代码R-CDFM-F2
元件数量1
端子数量2
最高工作温度200 °C
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
极性/信道类型NPN
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式FLAT
端子位置DUAL
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

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ASI2223-20
NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR
PACKAGE STYLE .310 2L FLG
DESCRIPTION:
The
ASI 2223-20
is Designed for
4x .062 x 45°
2xB
D
G
ØE
F
A
.040 x 45°
C
FEATURES:
•
Input Matching Network
•
•
Omnigold™
Metalization System
M
H
I
J
K
L
R
N
DIM
A
MINIMUM
inches / mm
P
MAXIMUM
inches / mm
.095 / 2.41
.100 / 2.54
.050 / 1.27
.286 / 7.26
.110 / 2.79
.306 / 7.77
.148 / 3.76
.400 / 10.16
.119 / 3.02
.552 / 14.02
.790 / 20.07
.300 / 7.62
.003 / 0.08
.052 / 1.32
.118 / 3.00
.105 / 2.67
.120 / 3.05
.306 / 7.77
.130 / 3.30
.318 / 8.08
MAXIMUM RATINGS
I
C
V
CC
P
DISS
T
J
T
STG
θ
JC
O
O
B
C
D
E
F
G
H
I
3.0 A
25 V
55 W @ T
C
≤
50 C
O
J
K
L
M
N
P
R
.572 / 14.53
.810 / 20.57
.320 / 8.13
.006 / 0.15
.072 / 1.83
.131 / 3.33
.230 / 5.84
-65 C to +200 C
-65 C to +200 C
2.7
O
C/W
O
O
ORDER CODE: ASI10533
CHARACTERISTICS
SYMBOL
BV
CBO
BV
CER
BV
EBO
I
CBO
h
FE
P
G
η
C
I
C
= 12 mA
I
C
= 25 mA
T
C
= 25 C
O
NONETEST
CONDITIONS
R
BE
= 10
Ω
MINIMUM TYPICAL MAXIMUM
45
45
3.5
2.5
UNITS
V
V
V
mA
---
dB
%
I
E
= 2.5 mA
V
CB
= 22 V
V
CE
= 5.0 V
V
CC
= 22 V
GHz
I
C
= 2.0 A
P
OUT
= 20 W
f = 2.2 – 2.3
30
7.0
40
300
A D V A N C E D S E M I C O N D U C T O R, I N C.
7525 ETHEL AVENUE
•
NORTH HOLLYWOOD, CA 91605
•
(818) 982-1200
•
FAX (818) 765-3004
Specifications are subject to change without notice.
REV. A
1/1

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