FLM1011-20F,FLM1011-20F pdf中文资料,FLM1011-20F引脚图,FLM1011-20F电路-Datasheet-电子工程世界

FLM1011-20F: 产品描述RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, KU Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Junction FET, HERMETIC SEALED, CASE IK, 2 PIN; 产品类别晶体管; 文件大小276KB，共5页; 制造商SUMITOMO(住友); 官网地址https://global-sei.com/; 标准

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FLM1011-20F概述

RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, KU Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Junction FET, HERMETIC SEALED, CASE IK, 2 PIN

参数名称	属性值
是否无铅	不含铅
是否Rohs认证	符合
厂商名称	SUMITOMO(住友)
包装说明	FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2
针数	2
制造商包装代码	CASE IK
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
Is Samacsys	N
外壳连接	SOURCE
配置	SINGLE
最小漏源击穿电压	10 V
最大漏极电流 (ID)	7.2 A
FET 技术	JUNCTION
最高频带	KU BAND
JESD-30 代码	R-CDFM-F2
元件数量	1
端子数量	2
工作模式	DEPLETION MODE
封装主体材料	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	N-CHANNEL
认证状态	Not Qualified
表面贴装	YES
端子形式	FLAT
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
晶体管应用	AMPLIFIER
晶体管元件材料	GALLIUM ARSENIDE
Base Number Matches	1

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