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FXT69SM

产品描述Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, PLASTIC, E-LINE PACKAGE-3
产品类别晶体管   
文件大小43KB,共1页
制造商Diodes Incorporated
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FXT69SM概述

Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, PLASTIC, E-LINE PACKAGE-3

FXT69SM规格参数

参数名称属性值
厂商名称Diodes Incorporated
包装说明SMALL OUTLINE, R-PSSO-G3
针数3
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
Is SamacsysN
最大集电极电流 (IC)1 A
集电极-发射极最大电压20 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)85
JESD-30 代码R-PSSO-G3
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量3
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)260
极性/信道类型PNP
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层MATTE TIN
端子形式GULL WING
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间40
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)150 MHz
Base Number Matches1

 
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