2KX8 NON-VOLATILE SRAM MODULE, 120ns, PDIP24, PLASTIC, DIP-24
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否无铅 | 含铅 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 厂商名称 | ST(意法半导体) |
| 零件包装代码 | DIP |
| 包装说明 | DIP, DIP24,.6 |
| 针数 | 24 |
| Reach Compliance Code | unknown |
| Is Samacsys | N |
| 最长访问时间 | 120 ns |
| JESD-30 代码 | R-PDIP-T24 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 内存密度 | 16384 bit |
| 内存集成电路类型 | NON-VOLATILE SRAM MODULE |
| 内存宽度 | 8 |
| 混合内存类型 | N/A |
| 功能数量 | 1 |
| 端口数量 | 1 |
| 端子数量 | 24 |
| 字数 | 2048 words |
| 字数代码 | 2000 |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 70 °C |
| 最低工作温度 | |
| 组织 | 2KX8 |
| 输出特性 | 3-STATE |
| 可输出 | YES |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | DIP |
| 封装等效代码 | DIP24,.6 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE |
| 并行/串行 | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED |
| 电源 | 5 V |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 9.652 mm |
| 最大待机电流 | 0.001 A |
| 最大压摆率 | 0.08 mA |
| 最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 4.75 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
| 表面贴装 | NO |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | COMMERCIAL |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE |
| 端子节距 | 2.54 mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 宽度 | 15.24 mm |
| Base Number Matches | 1 |
| MK48Z02B-12 | MK48Z02B-15 | MK48Z02B-25 | MK48Z02B-20 | |
|---|---|---|---|---|
| 描述 | 2KX8 NON-VOLATILE SRAM MODULE, 120ns, PDIP24, PLASTIC, DIP-24 | 2KX8 NON-VOLATILE SRAM MODULE, 150ns, PDIP24, PLASTIC, DIP-24 | 2KX8 NON-VOLATILE SRAM MODULE, 250ns, PDIP24, PLASTIC, DIP-24 | 2KX8 NON-VOLATILE SRAM MODULE, 200ns, PDIP24, PLASTIC, DIP-24 |
| 是否无铅 | 含铅 | 含铅 | 含铅 | 含铅 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 | 不符合 | 不符合 |
| 厂商名称 | ST(意法半导体) | ST(意法半导体) | ST(意法半导体) | ST(意法半导体) |
| 零件包装代码 | DIP | DIP | DIP | DIP |
| 包装说明 | DIP, DIP24,.6 | DIP, DIP24,.6 | DIP, DIP24,.6 | DIP, DIP24,.6 |
| 针数 | 24 | 24 | 24 | 24 |
| Reach Compliance Code | unknown | unknown | unknown | unknown |
| 最长访问时间 | 120 ns | 150 ns | 250 ns | 200 ns |
| JESD-30 代码 | R-PDIP-T24 | R-PDIP-T24 | R-PDIP-T24 | R-PDIP-T24 |
| JESD-609代码 | e0 | e0 | e0 | e0 |
| 内存密度 | 16384 bit | 16384 bit | 16384 bit | 16384 bit |
| 内存集成电路类型 | NON-VOLATILE SRAM MODULE | NON-VOLATILE SRAM MODULE | NON-VOLATILE SRAM MODULE | NON-VOLATILE SRAM MODULE |
| 内存宽度 | 8 | 8 | 8 | 8 |
| 混合内存类型 | N/A | N/A | N/A | N/A |
| 功能数量 | 1 | 1 | 1 | 1 |
| 端口数量 | 1 | 1 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 24 | 24 | 24 | 24 |
| 字数 | 2048 words | 2048 words | 2048 words | 2048 words |
| 字数代码 | 2000 | 2000 | 2000 | 2000 |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 70 °C | 70 °C | 70 °C | 70 °C |
| 组织 | 2KX8 | 2KX8 | 2KX8 | 2KX8 |
| 输出特性 | 3-STATE | 3-STATE | 3-STATE | 3-STATE |
| 可输出 | YES | YES | YES | YES |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | DIP | DIP | DIP | DIP |
| 封装等效代码 | DIP24,.6 | DIP24,.6 | DIP24,.6 | DIP24,.6 |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE | IN-LINE | IN-LINE | IN-LINE |
| 并行/串行 | PARALLEL | PARALLEL | PARALLEL | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 电源 | 5 V | 5 V | 5 V | 5 V |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 9.652 mm | 9.652 mm | 9.652 mm | 9.652 mm |
| 最大待机电流 | 0.001 A | 0.001 A | 0.001 A | 0.001 A |
| 最大压摆率 | 0.08 mA | 0.08 mA | 0.08 mA | 0.08 mA |
| 最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V | 5.5 V | 5.5 V | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 4.75 V | 4.75 V | 4.75 V | 4.75 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V | 5 V | 5 V | 5 V |
| 表面贴装 | NO | NO | NO | NO |
| 技术 | CMOS | CMOS | CMOS | CMOS |
| 温度等级 | COMMERCIAL | COMMERCIAL | COMMERCIAL | COMMERCIAL |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE |
| 端子节距 | 2.54 mm | 2.54 mm | 2.54 mm | 2.54 mm |
| 端子位置 | DUAL | DUAL | DUAL | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 宽度 | 15.24 mm | 15.24 mm | 15.24 mm | 15.24 mm |
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