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FHR20X

产品描述RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, KA Band, Gallium Arsenide, N-Channel, High Electron Mobility FET, DIE
产品类别晶体管   
文件大小67KB,共4页
制造商FUJITSU(富士通)
官网地址http://edevice.fujitsu.com/fmd/en/index.html
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FHR20X概述

RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, KA Band, Gallium Arsenide, N-Channel, High Electron Mobility FET, DIE

FHR20X规格参数

参数名称属性值
厂商名称FUJITSU(富士通)
包装说明UNCASED CHIP, R-XUUC-N
Reach Compliance Codecompliant
Is SamacsysN
其他特性LOW NOISE, HIGH RELIABILITY
配置SINGLE
最小漏源击穿电压3.5 V
FET 技术HIGH ELECTRON MOBILITY
最高频带KA BAND
JESD-30 代码R-XUUC-N
元件数量1
工作模式DEPLETION MODE
最高工作温度175 °C
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状RECTANGULAR
封装形式UNCASED CHIP
极性/信道类型N-CHANNEL
功耗环境最大值0.1 W
最小功率增益 (Gp)8.5 dB
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式NO LEAD
端子位置UPPER
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料GALLIUM ARSENIDE
Base Number Matches1
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