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FSYA9250D3

产品描述Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 200V, 0.27ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SMD1-3
产品类别晶体管   
文件大小107KB,共8页
制造商Fairchild
官网地址http://www.fairchildsemi.com/
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FSYA9250D3概述

Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 200V, 0.27ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SMD1-3

FSYA9250D3规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Fairchild
包装说明SMD1-3
针数3
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
Is SamacsysN
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压200 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)17 A
最大漏极电流 (ID)17 A
最大漏源导通电阻0.27 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-CBCC-N3
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状RECTANGULAR
封装形式CHIP CARRIER
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)60 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)51 A
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式NO LEAD
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

FSYA9250D3相似产品对比

FSYA9250D3 FSYA9250R1
描述 Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 200V, 0.27ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SMD1-3 Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 200V, 0.27ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SMD1-3
是否Rohs认证 不符合 不符合
厂商名称 Fairchild Fairchild
包装说明 SMD1-3 CHIP CARRIER, R-CBCC-N3
针数 3 3
Reach Compliance Code unknown compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99

 
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