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M68AW512DN55ZB6E

产品描述512KX16 STANDARD SRAM, 55ns, PBGA48, 6 X 7 MM, 0.75 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, TFBGA-48
产品类别存储   
文件大小427KB,共23页
制造商ST(意法半导体)
官网地址http://www.st.com/
标准
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M68AW512DN55ZB6E概述

512KX16 STANDARD SRAM, 55ns, PBGA48, 6 X 7 MM, 0.75 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, TFBGA-48

M68AW512DN55ZB6E规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称ST(意法半导体)
零件包装代码BGA
包装说明6 X 7 MM, 0.75 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, TFBGA-48
针数48
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码3A991.B.2.A
Is SamacsysN
最长访问时间55 ns
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-PBGA-B48
JESD-609代码e1
长度7 mm
内存密度8388608 bit
内存集成电路类型STANDARD SRAM
内存宽度16
功能数量1
端子数量48
字数524288 words
字数代码512000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织512KX16
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TFBGA
封装等效代码BGA48,6X8,30
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)260
电源3/3.3 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.2 mm
最大待机电流0.00003 A
最小待机电流1.5 V
最大压摆率0.02 mA
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)2.7 V
标称供电电压 (Vsup)3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层Tin/Silver/Copper (Sn95.5Ag4.0Cu0.5)
端子形式BALL
端子节距0.75 mm
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度6 mm
Base Number Matches1
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