70V9279S9PRFGI,70V9279S9PRFGI pdf中文资料,70V9279S9PRFGI引脚图,70V9279S9PRFGI电路-Datasheet-电子工程世界

70V9279S9PRFGI: 产品描述Dual-Port SRAM, 32KX16, 20ns, CMOS, PQFP128; 产品类别存储; 文件大小338KB，共19页; 制造商IDT (Integrated Device Technology); 标准

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70V9279S9PRFGI概述

Dual-Port SRAM, 32KX16, 20ns, CMOS, PQFP128

70V9279S9PRFGI规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	符合
厂商名称	IDT (Integrated Device Technology)
包装说明	LFQFP,
Reach Compliance Code	compliant
Is Samacsys	N
最长访问时间	20 ns
其他特性	FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE
JESD-30 代码	R-PQFP-G128
JESD-609代码	e3
长度	20 mm
内存密度	524288 bit
内存集成电路类型	DUAL-PORT SRAM
内存宽度	16
湿度敏感等级	3
功能数量	1
端子数量	128
字数	32768 words
字数代码	32000
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C
最低工作温度	-40 °C
组织	32KX16
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	LFQFP
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	FLATPACK, LOW PROFILE, FINE PITCH
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	260
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	1.6 mm
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	3 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL
端子面层	Matte Tin (Sn)
端子形式	GULL WING
端子节距	0.5 mm
端子位置	QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间	30
宽度	14 mm
Base Number Matches	1

70V9279S9PRFGI相似产品对比

	70V9279S9PRFGI	IDT70V9279S9PRFGI	IDT70V9279L9PRFGI	70V9279L9PRFGI
描述	Dual-Port SRAM, 32KX16, 20ns, CMOS, PQFP128	Dual-Port SRAM, 32KX16, 20ns, CMOS, PQFP128, 14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, TQFP-128	Dual-Port SRAM, 32KX16, 20ns, CMOS, PQFP128, 14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, TQFP-128	Dual-Port SRAM, 32KX16, 20ns, CMOS, PQFP128
是否Rohs认证	符合	符合	符合	符合
厂商名称	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)
包装说明	LFQFP,	LFQFP,	LFQFP,	LFQFP,
Reach Compliance Code	compliant	compliant	compliant	compliant
最长访问时间	20 ns	20 ns	20 ns	20 ns
其他特性	FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE	FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE	FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE	FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE
JESD-30 代码	R-PQFP-G128	R-PQFP-G128	R-PQFP-G128	R-PQFP-G128
JESD-609代码	e3	e3	e3	e3
长度	20 mm	20 mm	20 mm	20 mm
内存密度	524288 bit	524288 bit	524288 bit	524288 bit
内存集成电路类型	DUAL-PORT SRAM	DUAL-PORT SRAM	DUAL-PORT SRAM	DUAL-PORT SRAM
内存宽度	16	16	16	16
湿度敏感等级	3	3	3	3
功能数量	1	1	1	1
端子数量	128	128	128	128
字数	32768 words	32768 words	32768 words	32768 words
字数代码	32000	32000	32000	32000
工作模式	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C
最低工作温度	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C
组织	32KX16	32KX16	32KX16	32KX16
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	LFQFP	LFQFP	LFQFP	LFQFP
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	FLATPACK, LOW PROFILE, FINE PITCH	FLATPACK, LOW PROFILE, FINE PITCH	FLATPACK, LOW PROFILE, FINE PITCH	FLATPACK, LOW PROFILE, FINE PITCH
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	260	260	260	260
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
座面最大高度	1.6 mm	1.6 mm	1.6 mm	1.6 mm
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	3 V	3 V	3 V	3 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V
表面贴装	YES	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL
端子面层	Matte Tin (Sn)	Matte Tin (Sn)	Matte Tin (Sn)	Matte Tin (Sn)
端子形式	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING
端子节距	0.5 mm	0.5 mm	0.5 mm	0.5 mm
端子位置	QUAD	QUAD	QUAD	QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间	30	30	30	30
宽度	14 mm	14 mm	14 mm	14 mm

推荐资源

器件捷径: S0 S1 S2 S3 S4 S5 S6 S7 S8 S9 SA SB SC SD SE SF SG SH SI SJ SK SL SM SN SO SP SQ SR SS ST SU SV SW SX SY SZ T0 T1 T2 T3 T4 T5 T6 T7 T8 T9 TA TB TC TD TE TF TG TH TI TJ TK TL TM TN TO TP TQ TR TS TT TU TV TW TX TY TZ U0 U1 U2 U3 U4 U6 U7 U8 UA UB UC UD UE UF UG UH UI UJ UK UL UM UN UP UQ UR US UT UU UV UW UX UZ V0 V1 V2 V3 V4 V5 V6 V7 V8 V9 VA VB VC VD VE VF VG VH VI VJ VK VL VM VN VO VP VQ VR VS VT VU VV VW VX VY VZ W0 W1 W2 W3 W4 W5 W6 W7 W8 W9 WA WB WC WD WE WF WG WH WI WJ WK WL WM WN WO WP WR WS WT WU WV WW WY X0 X1 X2 X3 X4 X5 X7 X8 X9 XA XB XC XD XE XF XG XH XK XL XM XN XO XP XQ XR XS XT XU XV XW XX XY XZ Y0 Y1 Y2 Y4 Y5 Y6 Y9 YA YB YC YD YE YF YG YH YK YL YM YN YP YQ YR YS YT YX Z0 Z1 Z2 Z3 Z4 Z5 Z6 Z8 ZA ZB ZC ZD ZE ZF ZG ZH ZJ ZL ZM ZN ZP ZR ZS ZT ZU ZV ZW ZX ZY

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