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MT47H32M8BP-37EIT:B

产品描述DDR DRAM, 32MX8, 0.5ns, CMOS, PBGA60, 8 X 12 MM, ROHS COMPLIANT, FBGA-60
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文件大小2MB,共129页
制造商Micron Technology
官网地址http://www.mdtic.com.tw/
标准  
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MT47H32M8BP-37EIT:B概述

DDR DRAM, 32MX8, 0.5ns, CMOS, PBGA60, 8 X 12 MM, ROHS COMPLIANT, FBGA-60

MT47H32M8BP-37EIT:B规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称Micron Technology
零件包装代码BGA
包装说明TFBGA, BGA60,9X11,32
针数60
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
Is SamacsysN
访问模式FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间0.5 ns
其他特性AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)266 MHz
I/O 类型COMMON
交错的突发长度4,8
JESD-30 代码R-PBGA-B60
JESD-609代码e1
长度12 mm
内存密度268435456 bit
内存集成电路类型DDR DRAM
内存宽度8
功能数量1
端口数量1
端子数量60
字数33554432 words
字数代码32000000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织32MX8
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TFBGA
封装等效代码BGA60,9X11,32
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
峰值回流温度(摄氏度)260
电源1.8 V
认证状态Not Qualified
刷新周期8192
座面最大高度1.2 mm
自我刷新YES
连续突发长度4,8
最大待机电流0.005 A
最大压摆率0.24 mA
最大供电电压 (Vsup)1.9 V
最小供电电压 (Vsup)1.7 V
标称供电电压 (Vsup)1.8 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式BALL
端子节距0.8 mm
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间30
宽度8 mm
Base Number Matches1

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256Mb: x4, x8, x16 DDR2 SDRAM
Features
DDR2 SDRAM
MT47H64M4 – 16 Meg x 4 x 4 banks
MT47H32M8 – 8 Meg x 8 x 4 banks
MT47H16M16 – 4 Meg x 16 x 4 banks
Features
V
DD
= 1.8V ±0.1V, V
DDQ
= 1.8V ±0.1V
JEDEC-standard 1.8V I/O (SSTL_18-compatible)
Differential data strobe (DQS, DQS#) option
4n-bit prefetch architecture
Duplicate output strobe (RDQS) option for x8
DLL to align DQ and DQS transitions with CK
4 internal banks for concurrent operation
Programmable CAS latency (CL)
Posted CAS additive latency (AL)
WRITE latency = READ latency - 1
t
CK
Selectable burst lengths (BL): 4 or 8
Adjustable data-output drive strength
64ms, 8192-cycle refresh
On-die termination (ODT)
Industrial temperature (IT) option
Automotive temperature (AT) option
RoHS-compliant
Supports JEDEC clock jitter specification
Options
1
• Configuration
– 64 Meg x 4 (16 Meg x 4 x 4 banks)
– 32 Meg x 8 (8 Meg x 8 x 4 banks)
– 16 Meg x 16 (4 Meg x 16 x 4 banks)
• FBGA package (Pb-free)
– 60-ball FBGA (8mm x 12mm) x4, x8
– 84-ball FBGA (8mm x 14mm) x16
• FBGA package (lead solder)
– 60-ball FBGA (8mm x 12mm) x4, x8
– 84-ball FBGA (8mm x 14mm) x16
• Timing – cycle time
– 3.0ns @ CL = 5 (DDR2-667)
– 3.75ns @ CL = 4 (DDR2-533)
– 5.0ns @ CL = 3 (DDR2-400)
• Self refresh
– Standard
– Low-power
• Operating temperature
– Commercial (0°C T
C
+85°C)
– Industrial (–40°C T
C
+95°C;
–40°C T
A
+85°C)
– Automotive (–40°C T
C
, T
A
+105°C)
• Revision
Note:
Marking
64M4
32M8
16M16
BP
BG
FP
FG
-3
-37E
-5E
None
L
None
IT
AT
:B
1. Not all options listed can be combined to
define an offered product. Use the Part
Catalog Search on
www.micron.com
for
product offerings and availability.
Table 1: Key Timing Parameters
Data Rate (MT/s)
Speed Grade
-3
-37E
-5E
CL = 3
400
400
400
CL = 4
533
533
400
CL = 5
667
n/a
n/a
t
RC
(ns)
55
55
55
PDF: 09005aef8117c187
256MbDDR2.pdf - Rev. N 7/11 EN
1
Micron Technology, Inc. reserves the right to change products or specifications without notice.
‹
2003 Micron Technology, Inc. All rights reserved.
Products and specifications discussed herein are subject to change by Micron without notice.

 
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