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IDT79R2020A16G

产品描述Memory Circuit, 8X8, CMOS, CPGA68, CAVITY UP, PGA-68
产品类别存储   
文件大小136KB,共6页
制造商IDT (Integrated Device Technology)
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IDT79R2020A16G概述

Memory Circuit, 8X8, CMOS, CPGA68, CAVITY UP, PGA-68

IDT79R2020A16G规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称IDT (Integrated Device Technology)
零件包装代码PGA
包装说明CAVITY UP, PGA-68
针数68
Reach Compliance Codenot_compliant
Is SamacsysN
JESD-30 代码S-CPGA-P68
JESD-609代码e0
长度29.464 mm
内存密度64 bit
内存集成电路类型MEMORY CIRCUIT
内存宽度8
功能数量1
端子数量68
字数8 words
字数代码8
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织8X8
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码PGA
封装等效代码PGA68,11X11
封装形状SQUARE
封装形式GRID ARRAY
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源5 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度5.207 mm
最大供电电压 (Vsup)5.25 V
最小供电电压 (Vsup)4.75 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式PIN/PEG
端子节距2.54 mm
端子位置PERPENDICULAR
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度29.464 mm
Base Number Matches1

IDT79R2020A16G相似产品对比

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描述 Memory Circuit, 8X8, CMOS, CPGA68, CAVITY UP, PGA-68 Memory Circuit, 8X8, CMOS, CPGA68, CAVITY UP, PGA-68 Memory Circuit, 8X8, CMOS, PQCC68, PLASTIC, LCC-68 Memory Circuit, 8X8, CMOS, PQCC68, PLASTIC, LCC-68 Memory Circuit, 8X8, CMOS, PQCC68, PLASTIC, LCC-68 Memory Circuit, 8X8, CMOS, PQCC68, PLASTIC, LCC-68 Memory Circuit, 8X8, CMOS, CPGA68, CAVITY UP, PGA-68 Memory Circuit, 8X8, CMOS, CPGA68, CAVITY UP, PGA-68
零件包装代码 PGA PGA LCC LCC LCC LCC PGA PGA
包装说明 CAVITY UP, PGA-68 CAVITY UP, PGA-68 QCCJ, PLASTIC, LCC-68 PLASTIC, LCC-68 QCCJ, CAVITY UP, PGA-68 CAVITY UP, PGA-68
针数 68 68 68 68 68 68 68 68
Reach Compliance Code not_compliant not_compliant unknown not_compliant not_compliant unknown not_compliant not_compliant
JESD-30 代码 S-CPGA-P68 S-CPGA-P68 S-PQCC-J68 S-PQCC-J68 S-PQCC-J68 S-PQCC-J68 S-CPGA-P68 S-CPGA-P68
JESD-609代码 e0 e0 e0 e0 e0 e0 e0 e0
长度 29.464 mm 29.464 mm 24.2062 mm 24.2062 mm 24.2062 mm 24.2062 mm 29.464 mm 29.464 mm
内存密度 64 bit 64 bit 64 bit 64 bit 64 bit 64 bit 64 bit 64 bit
内存集成电路类型 MEMORY CIRCUIT MEMORY CIRCUIT MEMORY CIRCUIT MEMORY CIRCUIT MEMORY CIRCUIT MEMORY CIRCUIT MEMORY CIRCUIT MEMORY CIRCUIT
内存宽度 8 8 8 8 8 8 8 8
功能数量 1 1 1 1 1 1 1 1
端子数量 68 68 68 68 68 68 68 68
字数 8 words 8 words 8 words 8 words 8 words 8 words 8 words 8 words
字数代码 8 8 8 8 8 8 8 8
工作模式 SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 125 °C 125 °C 70 °C 70 °C 125 °C 125 °C 70 °C
组织 8X8 8X8 8X8 8X8 8X8 8X8 8X8 8X8
封装主体材料 CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码 PGA PGA QCCJ QCCJ QCCJ QCCJ PGA PGA
封装形状 SQUARE SQUARE SQUARE SQUARE SQUARE SQUARE SQUARE SQUARE
封装形式 GRID ARRAY GRID ARRAY CHIP CARRIER CHIP CARRIER CHIP CARRIER CHIP CARRIER GRID ARRAY GRID ARRAY
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 5.207 mm 5.207 mm 4.57 mm 4.57 mm 4.57 mm 4.57 mm 5.207 mm 5.207 mm
最大供电电压 (Vsup) 5.25 V 5.5 V 5.5 V 5.25 V 5.25 V 5.5 V 5.5 V 5.25 V
最小供电电压 (Vsup) 4.75 V 4.5 V 4.5 V 4.75 V 4.75 V 4.5 V 4.5 V 4.75 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V
表面贴装 NO NO YES YES YES YES NO NO
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL MILITARY MILITARY COMMERCIAL COMMERCIAL MILITARY MILITARY COMMERCIAL
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) TIN LEAD Tin/Lead (Sn85Pb15) Tin/Lead (Sn85Pb15) TIN LEAD Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 PIN/PEG PIN/PEG J BEND J BEND J BEND J BEND PIN/PEG PIN/PEG
端子节距 2.54 mm 2.54 mm 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm 2.54 mm 2.54 mm
端子位置 PERPENDICULAR PERPENDICULAR QUAD QUAD QUAD QUAD PERPENDICULAR PERPENDICULAR
宽度 29.464 mm 29.464 mm 24.2062 mm 24.2062 mm 24.2062 mm 24.2062 mm 29.464 mm 29.464 mm
是否Rohs认证 不符合 不符合 - 不符合 不符合 - 不符合 不符合
封装等效代码 PGA68,11X11 PGA68,11X11 - LDCC68,1.0SQ LDCC68,1.0SQ - PGA68,11X11 PGA68,11X11
电源 5 V 5 V - 5 V 5 V - 5 V 5 V
Base Number Matches 1 1 1 1 1 1 - -

 
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