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LH2108AD/883B

产品描述

LH2108AD/883B放大器基础信息:

LH2108AD/883B是一款OPERATIONAL AMPLIFIER。常用的包装方式为DIP, DIP16,.3

LH2108AD/883B放大器核心信息:

LH2108AD/883B的最低工作温度是-55 °C,最高工作温度是125 °C。其峰值回流温度为NOT SPECIFIED他的最大平均偏置电流为0.003 µA

厂商给出的LH2108AD/883B的最大压摆率为0.6 mA.而在运放闭环使用时,某个指定闭环增益(一般为 1 或者 2、 10 等)下,LH2108AD/883B增益变为低频增益的 0.707 倍时的频率为1000 kHz。LH2108AD/883B的功率为NO。其可编程功率为NO。

LH2108AD/883B的标称供电电压为20 V,其对应的标称负供电电压为-20 V。而其供电电源的范围为:+-5 V。LH2108AD/883B的输入失调电压为1000 µV(输入失调电压:使运算放大器输出端为0V(或接近0V)所需加于两输入端之间的补偿电压。)LH2108AD/883B的宽度为:7.62 mm。

LH2108AD/883B的相关尺寸:

LH2108AD/883B拥有16个端子.其端子位置类型为:DUAL。端子节距为2.54 mm。共有针脚:16

LH2108AD/883B放大器其他信息:

LH2108AD/883B采用了VOLTAGE-FEEDBACK的架构。其不属于低偏置类放大器。其不属于低失调类放大器。LH2108AD/883B的频率补偿情况是:NO。其温度等级为:MILITARY。

其属于微功率放大器。LH2108AD/883B不符合Rohs认证。其对应的的JESD-30代码为:R-CDIP-T16。其对应的的JESD-609代码为:e0。LH2108AD/883B的封装代码是:DIP。

LH2108AD/883B封装的材料多为CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED。而其封装形状为RECTANGULAR。LH2108AD/883B封装引脚的形式有:IN-LINE。其端子形式有:THROUGH-HOLE。座面最大高度为4.572 mm。

产品类别放大器电路   
文件大小169KB,共3页
制造商National Semiconductor(TI )
官网地址http://www.ti.com
器件替换:LH2108AD/883B替换放大器
敬请期待 详细参数

LH2108AD/883B概述

LH2108AD/883B放大器基础信息:

LH2108AD/883B是一款OPERATIONAL AMPLIFIER。常用的包装方式为DIP, DIP16,.3

LH2108AD/883B放大器核心信息:

LH2108AD/883B的最低工作温度是-55 °C,最高工作温度是125 °C。其峰值回流温度为NOT SPECIFIED他的最大平均偏置电流为0.003 µA

厂商给出的LH2108AD/883B的最大压摆率为0.6 mA.而在运放闭环使用时,某个指定闭环增益(一般为 1 或者 2、 10 等)下,LH2108AD/883B增益变为低频增益的 0.707 倍时的频率为1000 kHz。LH2108AD/883B的功率为NO。其可编程功率为NO。

LH2108AD/883B的标称供电电压为20 V,其对应的标称负供电电压为-20 V。而其供电电源的范围为:+-5 V。LH2108AD/883B的输入失调电压为1000 µV(输入失调电压:使运算放大器输出端为0V(或接近0V)所需加于两输入端之间的补偿电压。)LH2108AD/883B的宽度为:7.62 mm。

LH2108AD/883B的相关尺寸:

LH2108AD/883B拥有16个端子.其端子位置类型为:DUAL。端子节距为2.54 mm。共有针脚:16

LH2108AD/883B放大器其他信息:

LH2108AD/883B采用了VOLTAGE-FEEDBACK的架构。其不属于低偏置类放大器。其不属于低失调类放大器。LH2108AD/883B的频率补偿情况是:NO。其温度等级为:MILITARY。

其属于微功率放大器。LH2108AD/883B不符合Rohs认证。其对应的的JESD-30代码为:R-CDIP-T16。其对应的的JESD-609代码为:e0。LH2108AD/883B的封装代码是:DIP。

LH2108AD/883B封装的材料多为CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED。而其封装形状为RECTANGULAR。LH2108AD/883B封装引脚的形式有:IN-LINE。其端子形式有:THROUGH-HOLE。座面最大高度为4.572 mm。

LH2108AD/883B规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称National Semiconductor(TI )
零件包装代码DIP
包装说明DIP, DIP16,.3
针数16
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
Is SamacsysN
放大器类型OPERATIONAL AMPLIFIER
架构VOLTAGE-FEEDBACK
最大平均偏置电流 (IIB)0.003 µA
标称共模抑制比96 dB
频率补偿NO
最大输入失调电压1000 µV
JESD-30 代码R-CDIP-T16
JESD-609代码e0
低-偏置NO
低-失调NO
微功率YES
标称负供电电压 (Vsup)-20 V
功能数量2
端子数量16
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码DIP
封装等效代码DIP16,.3
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
功率NO
电源+-5 V
可编程功率NO
认证状态Not Qualified
筛选级别38535Q/M;38534H;883B
座面最大高度4.572 mm
最大压摆率0.6 mA
标称供电电压 (Vsup)20 V
表面贴装NO
技术BIPOLAR
温度等级MILITARY
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
标称均一增益带宽1000 kHz
宽带NO
宽度7.62 mm
Base Number Matches1

 
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