LT-1001AMD/883B放大器基础信息：
LT-1001AMD/883B是一款OPERATIONAL AMPLIFIER。常用的包装方式为CERAMIC, DIP-8
LT-1001AMD/883B放大器核心信息：
LT-1001AMD/883B的最低工作温度是-55 °C，最高工作温度是125 °C。25℃下的最大偏置电流为：0.002 µA他的最大平均偏置电流为0.004 µA
如何简单看一个放大器效率？看它的压摆率，LT-1001AMD/883B的标称压摆率有0.3 V/us。厂商给出的LT-1001AMD/883B的最大压摆率为6 mA，而最小压摆率为0.1 V/us。其最小电压增益为300000。而在运放闭环使用时，某个指定闭环增益（一般为 1 或者 2、 10 等）下，LT-1001AMD/883B增益变为低频增益的 0.707 倍时的频率为800 kHz。
LT-1001AMD/883B的标称供电电压为15 V，其对应的标称负供电电压为-15 V。而其供电电源的范围为：+-15 V。LT-1001AMD/883B的输入失调电压为60 µV（输入失调电压：使运算放大器输出端为0V(或接近0V)所需加于两输入端之间的补偿电压。）
LT-1001AMD/883B的相关尺寸：
LT-1001AMD/883B拥有8个端子.其端子位置类型为：DUAL。端子节距为2.54 mm。
LT-1001AMD/883B放大器其他信息：
LT-1001AMD/883B采用了VOLTAGE-FEEDBACK的架构。其属于低失调类放大器。LT-1001AMD/883B的频率补偿情况是：YES。其温度等级为：MILITARY。LT-1001AMD/883B不符合Rohs认证。
其对应的的JESD-30代码为：R-CDIP-T8。其对应的的JESD-609代码为：e0。LT-1001AMD/883B的封装代码是：DIP。LT-1001AMD/883B封装的材料多为CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED。而其封装形状为RECTANGULAR。
LT-1001AMD/883B封装引脚的形式有：IN-LINE。其端子形式有：THROUGH-HOLE。
LT-1001AMD/883B放大器基础信息：
LT-1001AMD/883B是一款OPERATIONAL AMPLIFIER。常用的包装方式为CERAMIC, DIP-8
LT-1001AMD/883B放大器核心信息：
LT-1001AMD/883B的最低工作温度是-55 °C，最高工作温度是125 °C。25℃下的最大偏置电流为：0.002 µA他的最大平均偏置电流为0.004 µA
如何简单看一个放大器效率？看它的压摆率，LT-1001AMD/883B的标称压摆率有0.3 V/us。厂商给出的LT-1001AMD/883B的最大压摆率为6 mA，而最小压摆率为0.1 V/us。其最小电压增益为300000。而在运放闭环使用时，某个指定闭环增益（一般为 1 或者 2、 10 等）下，LT-1001AMD/883B增益变为低频增益的 0.707 倍时的频率为800 kHz。
LT-1001AMD/883B的标称供电电压为15 V，其对应的标称负供电电压为-15 V。而其供电电源的范围为：+-15 V。LT-1001AMD/883B的输入失调电压为60 µV（输入失调电压：使运算放大器输出端为0V(或接近0V)所需加于两输入端之间的补偿电压。）
LT-1001AMD/883B的相关尺寸：
LT-1001AMD/883B拥有8个端子.其端子位置类型为：DUAL。端子节距为2.54 mm。
LT-1001AMD/883B放大器其他信息：
LT-1001AMD/883B采用了VOLTAGE-FEEDBACK的架构。其属于低失调类放大器。LT-1001AMD/883B的频率补偿情况是：YES。其温度等级为：MILITARY。LT-1001AMD/883B不符合Rohs认证。
其对应的的JESD-30代码为：R-CDIP-T8。其对应的的JESD-609代码为：e0。LT-1001AMD/883B的封装代码是：DIP。LT-1001AMD/883B封装的材料多为CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED。而其封装形状为RECTANGULAR。
LT-1001AMD/883B封装引脚的形式有：IN-LINE。其端子形式有：THROUGH-HOLE。
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 厂商名称 | Raytheon Company |
| 包装说明 | CERAMIC, DIP-8 |
| Reach Compliance Code | unknown |
| Is Samacsys | N |
| 放大器类型 | OPERATIONAL AMPLIFIER |
| 架构 | VOLTAGE-FEEDBACK |
| 最大平均偏置电流 (IIB) | 0.004 µA |
| 25C 时的最大偏置电流 (IIB) | 0.002 µA |
| 标称共模抑制比 | 123 dB |
| 频率补偿 | YES |
| 最大输入失调电压 | 60 µV |
| JESD-30 代码 | R-CDIP-T8 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 低-失调 | YES |
| 标称负供电电压 (Vsup) | -15 V |
| 功能数量 | 1 |
| 端子数量 | 8 |
| 最高工作温度 | 125 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 封装主体材料 | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| 封装代码 | DIP |
| 封装等效代码 | DIP8,.3 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE |
| 电源 | +-15 V |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 筛选级别 | 38535Q/M;38534H;883B |
| 最小摆率 | 0.1 V/us |
| 标称压摆率 | 0.3 V/us |
| 最大压摆率 | 6 mA |
| 供电电压上限 | 22 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 15 V |
| 表面贴装 | NO |
| 技术 | BIPOLAR |
| 温度等级 | MILITARY |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE |
| 端子节距 | 2.54 mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 标称均一增益带宽 | 800 kHz |
| 最小电压增益 | 300000 |
| Base Number Matches | 1 |
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