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1N5630

产品描述1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小200KB,共4页
制造商Littelfuse
官网地址http://www.littelfuse.com
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1N5630概述

1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE

1N5630规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Littelfuse
零件包装代码DO-13
包装说明O-MALF-W2
针数2
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
Is SamacsysN
其他特性LOW IMPEDANCE
最大击穿电压8.25 V
最小击穿电压6.75 V
击穿电压标称值7.5 V
外壳连接ISOLATED
最大钳位电压11.7 V
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JEDEC-95代码DO-13
JESD-30 代码O-MALF-W2
JESD-609代码e0
最大非重复峰值反向功率耗散1500 W
元件数量1
端子数量2
封装主体材料METAL
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散1 W
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压6.05 V
表面贴装NO
技术AVALANCHE
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1

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Silicon Avalanche Diodes
1500 Watt Metal Axial Leaded Transient Voltage Suppressors
1N56 Series
FEATURES
Hermetically sealed
Breakdown voltage range 6.8 - 200 volts
Glass passivated junction
Excellent clamping capability
Low zener impedance
100% surge tested
-55°C to +150°C
Uni-polar
®
6
SILICON DIODE
ARRAYS
Min 31.8
Max
5.33
7.5
9.0
Min 25.4
Max
0.8
5.58
MAXIMUM RATING
Peak Pulse Power (Ppk): 1500 Watts (10 x 1000µs)@25°C
(see diagram on page 3 for wave form)
1 watt steady state
Response time: 1 x 10
-12
seconds (theoretical)
Operating & storage temperature: -55°C to +150°C
MECHANICAL CHARACTERISTICS
Case: Metal hermetically sealed DO-13 package
Terminals: Axial leads, solderable per MIL-STD-202
Method 208
Solderable leads = 230°C for 10 seconds (1.59mm from case)
Polarity: cathode indicated by colour band
Weight: 1.5 grammes (approx)
Agency Approvals:
Recognized under the Components
Program of Underwriters Laboratories.
Agency File Number:
E128662
ORDERING INFORMATION
1N 56 X X A
All dimensions in mm
Voltage Reference
5% Voltage Tolerance
Packaging Option
B = Bulk (500 pcs)
w w w. l i t t e l f u s e . c o m
313
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