MSMCJ60ATR,MSMCJ60ATR pdf中文资料,MSMCJ60ATR引脚图,MSMCJ60ATR电路-Datasheet-电子工程世界

MSMCJ60ATR: 产品描述1500W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AB, PLASTIC, SMCJ, 2 PIN; 产品类别二极管; 文件大小345KB，共4页; 制造商Microsemi; 官网地址https://www.microsemi.com

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MSMCJ60ATR概述

1500W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AB, PLASTIC, SMCJ, 2 PIN

参数名称	属性值
是否无铅	含铅
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	Microsemi
零件包装代码	DO-214AB
包装说明	R-PDSO-J2
针数	2
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
Is Samacsys	N
其他特性	HIGH RELIABILITY
最大击穿电压	73.7 V
最小击穿电压	66.7 V
击穿电压标称值	70.2 V
最大钳位电压	96.8 V
配置	SINGLE
二极管元件材料	SILICON
二极管类型	TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JEDEC-95代码	DO-214AB
JESD-30 代码	R-PDSO-J2
JESD-609代码	e0
湿度敏感等级	1
最大非重复峰值反向功率耗散	1500 W
元件数量	1
端子数量	2
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
极性	UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散	1.56 W
认证状态	Not Qualified
参考标准	MIL-19500
最大重复峰值反向电压	60 V
表面贴装	YES
技术	AVALANCHE
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	J BEND
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
Base Number Matches	1

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器件捷径: A0 A1 A2 A3 A4 A5 A6 A7 A8 A9 AA AB AC AD AE AF AG AH AI AJ AK AL AM AN AO AP AQ AR AS AT AU AV AW AX AY AZ B0 B1 B2 B3 B4 B5 B6 B7 B8 B9 BA BB BC BD BE BF BG BH BI BJ BK BL BM BN BO BP BQ BR BS BT BU BV BW BX BY BZ C0 C1 C2 C3 C4 C5 C6 C7 C8 C9 CA CB CC CD CE CF CG CH CI CJ CK CL CM CN CO CP CQ CR CS CT CU CV CW CX CY CZ D0 D1 D2 D3 D4 D5 D6 D7 D8 D9 DA DB DC DD DE DF DG DH DI DJ DK DL DM DN DO DP DQ DR DS DT DU DV DW DX DZ

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