HY514404BJ-50,HY514404BJ-50 pdf中文资料,HY514404BJ-50引脚图,HY514404BJ-50电路-Datasheet-电子工程世界

HY514404BJ-50: 产品描述EDO DRAM, 1MX4, 50ns, CMOS, PDSO20, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-26/20; 产品类别存储; 文件大小347KB，共8页; 制造商SK Hynix(海力士); 官网地址http://www.hynix.com/eng/

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HY514404BJ-50概述

EDO DRAM, 1MX4, 50ns, CMOS, PDSO20, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-26/20

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	SK Hynix(海力士)
零件包装代码	SOJ
包装说明	SOJ, SOJ20/26,.34
针数	20
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	EAR99
Is Samacsys	N
访问模式	FAST PAGE WITH EDO
最长访问时间	50 ns
其他特性	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	R-PDSO-J20
JESD-609代码	e0
长度	17.15 mm
内存密度	4194304 bit
内存集成电路类型	EDO DRAM
内存宽度	4
功能数量	1
端口数量	1
端子数量	20
字数	1048576 words
字数代码	1000000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	1MX4
输出特性	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	SOJ
封装等效代码	SOJ20/26,.34
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
电源	5 V
认证状态	Not Qualified
刷新周期	1024
座面最大高度	3.76 mm
自我刷新	NO
最大待机电流	0.001 A
最大压摆率	0.1 mA
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	J BEND
端子节距	1.27 mm
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
宽度	7.62 mm
Base Number Matches	1

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