MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V
| 参数名称 | 属性值 |
| 厂商名称 | Diodes Incorporated |
| 产品种类 | MOSFET |
| 技术 | Si |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 / 箱体 | TSOT-26-6 |
| 通道数量 | 2 Channel |
| 晶体管极性 | N-Channel, P-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 20 V |
| Id-连续漏极电流 | 4.6 A, 3.2 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 35 mOhms, 74 mOhms |
| Vgs th-栅源极阈值电压 | 400 mV, 1 V |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 12 V |
| Qg-栅极电荷 | 3.6 nC, 5.9 nC |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| Pd-功率耗散 | 1.1 W |
| 配置 | Dual |
| 通道模式 | Enhancement |
| 封装 | Cut Tape |
| 封装 | MouseReel |
| 封装 | Reel |
| 晶体管类型 | 1 N-Channel, 1 P-Channel |
| 下降时间 | 3.6 ns, 18 ns |
| 上升时间 | 3 ns, 7.8 ns |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 典型关闭延迟时间 | 12.5 ns, 31 ns |
| 典型接通延迟时间 | 2.6 ns, 3.2 ns |
| DMC2053UVT-7 | DMC2053UVT-13 | |
|---|---|---|
| 描述 | MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V | MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V |
| 厂商名称 | Diodes Incorporated | Diodes Incorporated |
| 产品种类 | MOSFET | MOSFET |
| 技术 | Si | Si |
| 安装风格 | SMD/SMT | SMD/SMT |
| 封装 / 箱体 | TSOT-26-6 | TSOT-26-6 |
| 通道数量 | 2 Channel | 2 Channel |
| 晶体管极性 | N-Channel, P-Channel | N-Channel, P-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 20 V | 20 V |
| Id-连续漏极电流 | 4.6 A, 3.2 A | 4.6 A, 3.2 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 35 mOhms, 74 mOhms | 35 mOhms, 74 mOhms |
| Vgs th-栅源极阈值电压 | 400 mV, 1 V | 400 mV, 1 V |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 12 V | 12 V |
| Qg-栅极电荷 | 3.6 nC, 5.9 nC | 3.6 nC, 5.9 nC |
| 最小工作温度 | - 55 C | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 150 C | + 150 C |
| Pd-功率耗散 | 1.1 W | 1.1 W |
| 配置 | Dual | Dual |
| 通道模式 | Enhancement | Enhancement |
| 晶体管类型 | 1 N-Channel, 1 P-Channel | 1 N-Channel, 1 P-Channel |
| 下降时间 | 3.6 ns, 18 ns | 3.6 ns, 18 ns |
| 上升时间 | 3 ns, 7.8 ns | 3 ns, 7.8 ns |
| 工厂包装数量 | 3000 | 10000 |
| 典型关闭延迟时间 | 12.5 ns, 31 ns | 12.5 ns, 31 ns |
| 典型接通延迟时间 | 2.6 ns, 3.2 ns | 2.6 ns, 3.2 ns |
| 封装 | Reel | Reel |
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