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NSV60200SMTWTBG

产品描述双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 60V SINGLE 2A LOWVC E(SAT)
产品类别半导体    分立半导体    晶体管    双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)   
文件大小95KB,共7页
制造商ON Semiconductor(安森美)
官网地址http://www.onsemi.cn
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NSV60200SMTWTBG在线购买

供应商 器件名称 价格 最低购买 库存  
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NSV60200SMTWTBG概述

双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 60V SINGLE 2A LOWVC E(SAT)

NSV60200SMTWTBG规格参数

参数名称属性值
厂商名称ON Semiconductor(安森美)
产品种类双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
安装风格SMD/SMT
封装 / 箱体WDFN-6
晶体管极性PNP
配置Single
集电极—发射极最大电压 VCEO- 60 V
集电极—基极电压 VCBO- 60 V
发射极 - 基极电压 VEBO- 6 V
集电极—射极饱和电压- 0.365 V
增益带宽产品fT155 MHz
最小工作温度- 55 C
最大工作温度+ 150 C
封装Cut Tape
封装Reel
集电极连续电流2 A
直流集电极/Base Gain hfe Min150
Pd-功率耗散1.8 W
工厂包装数量3000

NSV60200SMTWTBG相似产品对比

NSV60200SMTWTBG NSS60200SMTTBG
描述 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 60V SINGLE 2A LOWVC E(SAT) 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 60V SINGLE 2A LOWVC E(SAT)
厂商名称 ON Semiconductor(安森美) ON Semiconductor(安森美)
产品种类 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
安装风格 SMD/SMT SMD/SMT
封装 / 箱体 WDFN-6 WDFN-6
晶体管极性 PNP PNP
配置 Single Single
集电极—发射极最大电压 VCEO - 60 V - 60 V
集电极—基极电压 VCBO - 60 V - 60 V
发射极 - 基极电压 VEBO - 6 V - 6 V
集电极—射极饱和电压 - 0.365 V - 0.365 V
增益带宽产品fT 155 MHz 155 MHz
最小工作温度 - 55 C - 55 C
最大工作温度 + 150 C + 150 C
集电极连续电流 2 A 2 A
直流集电极/Base Gain hfe Min 150 150
Pd-功率耗散 1.8 W 1.8 W
工厂包装数量 3000 3000
封装 Reel Reel
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