双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 60V SINGLE 2A LOWVC E(SAT)
参数名称 | 属性值 |
厂商名称 | ON Semiconductor(安森美) |
产品种类 | 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 / 箱体 | WDFN-6 |
晶体管极性 | PNP |
配置 | Single |
集电极—发射极最大电压 VCEO | - 60 V |
集电极—基极电压 VCBO | - 60 V |
发射极 - 基极电压 VEBO | - 6 V |
集电极—射极饱和电压 | - 0.365 V |
增益带宽产品fT | 155 MHz |
最小工作温度 | - 55 C |
最大工作温度 | + 150 C |
封装 | Cut Tape |
封装 | Reel |
集电极连续电流 | 2 A |
直流集电极/Base Gain hfe Min | 150 |
Pd-功率耗散 | 1.8 W |
工厂包装数量 | 3000 |
NSV60200SMTWTBG | NSS60200SMTTBG | |
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描述 | 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 60V SINGLE 2A LOWVC E(SAT) | 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 60V SINGLE 2A LOWVC E(SAT) |
厂商名称 | ON Semiconductor(安森美) | ON Semiconductor(安森美) |
产品种类 | 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) | 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) |
安装风格 | SMD/SMT | SMD/SMT |
封装 / 箱体 | WDFN-6 | WDFN-6 |
晶体管极性 | PNP | PNP |
配置 | Single | Single |
集电极—发射极最大电压 VCEO | - 60 V | - 60 V |
集电极—基极电压 VCBO | - 60 V | - 60 V |
发射极 - 基极电压 VEBO | - 6 V | - 6 V |
集电极—射极饱和电压 | - 0.365 V | - 0.365 V |
增益带宽产品fT | 155 MHz | 155 MHz |
最小工作温度 | - 55 C | - 55 C |
最大工作温度 | + 150 C | + 150 C |
集电极连续电流 | 2 A | 2 A |
直流集电极/Base Gain hfe Min | 150 | 150 |
Pd-功率耗散 | 1.8 W | 1.8 W |
工厂包装数量 | 3000 | 3000 |
封装 | Reel | Reel |
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