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DGTD120T25S1PT

产品描述IGBT 晶体管 IGBT 1200V-X TO247 TUBE 0.45K
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小2MB,共11页
制造商Diodes Incorporated
标准
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DGTD120T25S1PT在线购买

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DGTD120T25S1PT概述

IGBT 晶体管 IGBT 1200V-X TO247 TUBE 0.45K

DGTD120T25S1PT规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Diodes Incorporated
包装说明FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
Factory Lead Time22 weeks
最大集电极电流 (IC)50 A
集电极-发射极最大电压1200 V
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
门极发射器阈值电压最大值7 V
门极-发射极最大电压20 V
JEDEC-95代码TO-247
JESD-30 代码R-PSFM-T3
JESD-609代码e3
元件数量1
端子数量3
最高工作温度175 °C
最低工作温度-40 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)348 W
表面贴装NO
端子面层Matte Tin (Sn)
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
晶体管应用POWER CONTROL
晶体管元件材料SILICON
标称断开时间 (toff)367 ns
标称接通时间 (ton)110 ns
VCEsat-Max2.4 V
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