电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索

BUX85AF

产品描述2A, 450V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, PLASTIC, TO-220AB, 3 PIN
产品类别晶体管   
文件大小95KB,共4页
制造商ON Semiconductor(安森美)
官网地址http://www.onsemi.cn
下载文档 详细参数 全文预览

BUX85AF概述

2A, 450V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, PLASTIC, TO-220AB, 3 PIN

BUX85AF规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称ON Semiconductor(安森美)
零件包装代码TO-220AB
包装说明FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数3
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
Is SamacsysN
外壳连接COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)2 A
集电极-发射极最大电压450 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)30
JESD-30 代码R-PSFM-T3
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量3
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型NPN
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层TIN LEAD
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)4 MHz
Base Number Matches1

文档预览

下载PDF文档
BUX85G
SWITCHMODE NPN Silicon
Power Transistors
The BUX85G is designed for high voltage, high speed power
switching applications like converters, inverters, switching regulators,
motor control systems.
Features
http://onsemi.com
These Devices are Pb−Free and are RoHS Compliant*
MAXIMUM RATINGS
Rating
Collector−Emitter Voltage
Collector−Emitter Voltage
Emitter−Base Voltage
Collector Current
Collector Current
Base Current
Base Current
Continuous
Peak (Note 1)
Continuous
Peak (Note 1)
Symbol
V
CEO(sus)
V
CES
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
I
BM
I
BM
P
D
T
J
, T
stg
Value
450
1000
5
2
3.0
0.75
1.0
1
50
400
−65
to +150
Unit
Vdc
Vdc
Vdc
Adc
Adc
Adc
Adc
Adc
W
W/_C
_C
2.0 AMPERES
POWER TRANSISTOR
NPN SILICON
450 VOLTS, 50 WATTS
COLLECTOR
2,4
1
BASE
3
EMITTER
4
Reverse Base Current
Peak
Total Device Dissipation @ T
C
= 25_C
Derate above 25°C
Operating and Storage Junction
Temperature Range
THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristics
Thermal Resistance, Junction−to−Case
Thermal Resistance, Junction−to−Ambient
Maximum Lead Temperature for Soldering
Purposes 1/8″ from Case for 5 Seconds
Symbol
R
qJC
R
qJA
T
L
Max
2.5
62.5
275
Unit
_C/W
_C/W
_C
1
2
3
TO−220AB
CASE 221A−09
STYLE 1
MARKING DIAGRAM
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum
Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended
Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the
Recommended Operating Conditions may affect device reliability.
1. Pulse Test: Pulse Width = 5 ms, Duty Cycle
x
10%.
BUX85G
AY WW
BUX85
A
Y
WW
G
= Device Code
= Assembly Location
= Year
= Work Week
= Pb−Free Package
ORDERING INFORMATION
*For additional information on our Pb−Free strategy and soldering details, please
download the ON Semiconductor Soldering and Mounting Techniques
Reference Manual, SOLDERRM/D.
Device
BUX85G
Package
TO−220
(Pb−Free)
Shipping
50 Units / Rail
©
Semiconductor Components Industries, LLC, 2013
August, 2013
Rev. 15
1
Publication Order Number:
BUX85/D
红外遥控六足爬虫
本帖最后由 paulhyde 于 2014-9-15 09:10 编辑 在论坛上这么久了,下了不少东西,也该有所表示了! ...
tmstd 电子竞赛
Atmega_128_modbus通信
ATmega128单片机串口通信,Modbus协议,硬件测试过,完好...
15075039ZQ Microchip MCU
PCB工程路径储存问题
257230 我怎么把左边的PCB工程储存到右边指定的文件夹里 ...
NJMKL PCB设计
AD一些操作的问题
1、原理图画好以后,怎样变成只读的,即不能修改。因为在布局时经常把原理图给破坏。 2、布局时如何锁住所有元件位置。 3、布局时如何将原理图中选中的元件快速切换到PCB,快捷键是什么? ......
bigbat PCB设计
[C/C++] 【高效c语言】(七)--小容量单片机系统的C语言程序结构
1 系统的改进   可以说,这个用ASM51实现的代码是没有什么组织性可言的,要什么功能就加入什么功能,弄得程序的结构非常松散,其实这也是导致笔者最终决定重新改写这些代码的原因。   大 ......
小煜 编程基础
电路干扰问题?帮忙指点一下。。。。。。。。
我的程序完成了。但只要上220伏电,单片受到冲激就会有死机的情况。但是我的问题是,死机后给单片再次上电,单片不能重新工作,我必须重新再下一次程序它才能正常工作。是不是冲击过程中单片机 ......
clear1212 微控制器 MCU

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 430  475  2000  603  1138  56  5  38  44  4 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved