双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
参数名称 | 属性值 |
厂商名称 | Microsemi |
产品种类 | 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) |
RoHS | N |
技术 | Si |
安装风格 | Through Hole |
封装 / 箱体 | TO-46-3 |
晶体管极性 | NPN |
配置 | Single |
集电极—发射极最大电压 VCEO | 80 V |
集电极—基极电压 VCBO | 140 V |
发射极 - 基极电压 VEBO | 7 V |
集电极—射极饱和电压 | 0.5 V |
最大直流电集电极电流 | 1 A |
最小工作温度 | - 65 C |
最大工作温度 | + 200 C |
直流电流增益 hFE 最大值 | 300 at 500 mA, 10 V |
直流集电极/Base Gain hfe Min | 15 at 1 A, 10 V |
Pd-功率耗散 | 500 mW |
工厂包装数量 | 1 |
Jantx2N3057A/TR | JANS2N3057A/TR | Jantxv2N3057A/TR | 2N3057A/TR | |
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描述 | 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) | 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) | 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) | 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) |
厂商名称 | Microsemi | Microsemi | Microsemi | Microsemi |
产品种类 | 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) | 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) | 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) | 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) |
RoHS | N | N | N | N |
技术 | Si | Si | Si | Si |
安装风格 | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
封装 / 箱体 | TO-46-3 | TO-46-3 | TO-46-3 | TO-46-3 |
晶体管极性 | NPN | NPN | NPN | NPN |
配置 | Single | Single | Single | Single |
集电极—发射极最大电压 VCEO | 80 V | 80 V | 80 V | 80 V |
集电极—基极电压 VCBO | 140 V | 140 V | 140 V | 140 V |
发射极 - 基极电压 VEBO | 7 V | 7 V | 7 V | 7 V |
集电极—射极饱和电压 | 0.5 V | 0.5 V | 0.5 V | 0.5 V |
最大直流电集电极电流 | 1 A | 1 A | 1 A | 1 A |
最小工作温度 | - 65 C | - 65 C | - 65 C | - 65 C |
最大工作温度 | + 200 C | + 200 C | + 200 C | + 200 C |
直流电流增益 hFE 最大值 | 300 at 500 mA, 10 V | 300 at 500 mA, 10 V | 300 at 500 mA, 10 V | 300 at 500 mA, 10 V |
直流集电极/Base Gain hfe Min | 15 at 1 A, 10 V | 15 at 1 A, 10 V | 15 at 1 A, 10 V | 15 at 1 A, 10 V |
Pd-功率耗散 | 500 mW | 0.5 W | 500 mW | 1.8 W |
工厂包装数量 | 1 | 1 | 1 | 100 |
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