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DS2431G+T&R: 产品描述电可擦除可编程只读存储器 1024-Bit 1-Wire 电可擦除可编程只读存储器; 产品类别存储存储; 文件大小829KB，共28页; 制造商Maxim(美信半导体); 官网地址https://www.maximintegrated.com/en.html; 标准

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DS2431G+T&R概述

电可擦除可编程只读存储器 1024-Bit 1-Wire 电可擦除可编程只读存储器

DS2431G+T&R规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	不含铅
是否Rohs认证	符合
厂商名称	Maxim(美信半导体)
零件包装代码	SFN
包装说明	VBCC, SURF MNT 2,.25SQ
针数	2
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	EAR99
Factory Lead Time	6 weeks
其他特性	MEMORY ORGANIZED AS FOUR PAGES OF 256 BITS
数据保留时间-最小值	40
耐久性	50000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码	S-XBCC-B2
JESD-609代码	e3
长度	6 mm
内存密度	1024 bit
内存集成电路类型	EEPROM
内存宽度	1
功能数量	1
端子数量	2
字数	1024 words
字数代码	1000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C
最低工作温度	-40 °C
组织	1KX1
封装主体材料	UNSPECIFIED
封装代码	VBCC
封装等效代码	SURF MNT 2,.25SQ
封装形状	SQUARE
封装形式	CHIP CARRIER, VERY THIN PROFILE
并行/串行	SERIAL
峰值回流温度（摄氏度）	260
电源	3/5 V
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	1 mm
串行总线类型	1-WIRE
最大供电电压 (Vsup)	5.25 V
最小供电电压 (Vsup)	2.8 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL
端子面层	Matte Tin (Sn)
端子形式	BUTT
端子位置	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
宽度	6 mm

DS2431G+T&R相似产品对比

	DS2431G+T&R	DS2431Q+T&R	DS2431P+T&R	DS2431+T&R	DS2431P+	DS2431GA+T&R	DS2431Q+U	DS2431G+U
描述	电可擦除可编程只读存储器 1024-Bit 1-Wire 电可擦除可编程只读存储器	电可擦除可编程只读存储器 1024-Bit 1-Wire 电可擦除可编程只读存储器	电可擦除可编程只读存储器 1024-Bit 1-Wire 电可擦除可编程只读存储器	电可擦除可编程只读存储器 1024-Bit 1-Wire 电可擦除可编程只读存储器	电可擦除可编程只读存储器 1024-Bit 1-Wire 电可擦除可编程只读存储器	电可擦除可编程只读存储器 1024-BIT 1-W 电可擦除可编程只读存储器 6.5X3.5	电可擦除可编程只读存储器 1024-BIT 1-WIRE 电可擦除可编程只读存储器	电可擦除可编程只读存储器 1024-Bit 1-Wire 电可擦除可编程只读存储器
是否无铅	不含铅	不含铅	不含铅	不含铅	不含铅	不含铅	不含铅	不含铅
是否Rohs认证	符合	符合	符合	符合	符合	符合	符合	符合
包装说明	VBCC, SURF MNT 2,.25SQ	HVSON, SOLCC6,.11,37	SOC, SOC6,.17	, SIP3,.1,50	SOC, SOC6,.17	VBCC, SURF MNT 2,.14X.25	SON, SOLCC6,.11,37	VBCC, SURF MNT 2,.25SQ
Reach Compliance Code	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
Factory Lead Time	6 weeks	6 weeks	6 weeks	6 weeks	6 weeks	6 weeks	6 weeks	6 weeks
数据保留时间-最小值	40	40	40	40	40	40	40	40
耐久性	50000 Write/Erase Cycles	50000 Write/Erase Cycles	50000 Write/Erase Cycles	50000 Write/Erase Cycles	50000 Write/Erase Cycles	50000 Write/Erase Cycles	50000 Write/Erase Cycles	50000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码	S-XBCC-B2	S-PDSO-N6	R-PDSO-C6	R-PBCY-T3	R-PDSO-C6	R-XBCC-B2	R-PDSO-N6	S-XBCC-B2
内存密度	1024 bit	1024 bit	1024 bit	1024 bit	1024 bit	1024 bit	1024 bit	1024 bit
内存集成电路类型	EEPROM	EEPROM	EEPROM	EEPROM	EEPROM	EEPROM	EEPROM	EEPROM
内存宽度	1	1	1	1	1	1	4	1
端子数量	2	6	6	3	6	2	6	2
字数	1024 words	1024 words	1024 words	1024 words	1024 words	1024 words	256 words	1024 words
字数代码	1000	1000	1000	1000	1000	1000	256	1000
最高工作温度	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C
最低工作温度	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C
组织	1KX1	1KX1	1KX1	1KX1	1KX1	1KX1	256X4	1KX1
封装主体材料	UNSPECIFIED	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	UNSPECIFIED	PLASTIC/EPOXY	UNSPECIFIED
封装等效代码	SURF MNT 2,.25SQ	SOLCC6,.11,37	SOC6,.17	SIP3,.1,50	SOC6,.17	SURF MNT 2,.14X.25	SOLCC6,.11,37	SURF MNT 2,.25SQ
封装形状	SQUARE	SQUARE	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	SQUARE
封装形式	CHIP CARRIER, VERY THIN PROFILE	SMALL OUTLINE, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE	SMALL OUTLINE	CYLINDRICAL	SMALL OUTLINE	CHIP CARRIER, VERY THIN PROFILE	SMALL OUTLINE	CHIP CARRIER, VERY THIN PROFILE
并行/串行	SERIAL	SERIAL	SERIAL	SERIAL	SERIAL	SERIAL	SERIAL	SERIAL
峰值回流温度（摄氏度）	260	260	260	260	260	NOT SPECIFIED	225	225
电源	3/5 V	3/5 V	3/5 V	3/5 V	3/5 V	3/5 V	3/5 V	3/5 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	YES	YES	YES	NO	YES	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL
端子形式	BUTT	NO LEAD	C BEND	THROUGH-HOLE	C BEND	BUTT	NO LEAD	BUTT
端子位置	BOTTOM	DUAL	DUAL	BOTTOM	DUAL	BOTTOM	DUAL	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	30	30	30	30	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
厂商名称	Maxim(美信半导体)	Maxim(美信半导体)	-	Maxim(美信半导体)	-	Maxim(美信半导体)	Maxim(美信半导体)	Maxim(美信半导体)
零件包装代码	SFN	DFN	SOIC	TO-92	SOIC	SFN	-	-
针数	2	6	6	3	6	2	-	-
其他特性	MEMORY ORGANIZED AS FOUR PAGES OF 256 BITS	MEMORY ORGANIZED AS FOUR PAGES OF 256 BITS	MEMORY ORGANIZED AS FOUR PAGES OF 256 BITS	MEMORY ORGANIZED AS FOUR PAGES OF 256 BITS	MEMORY ORGANIZED AS FOUR PAGES OF 256 BITS	MEMORY ORGANIZED AS FOUR PAGES OF 256 BITS	-	-
JESD-609代码	e3	e3	e3	e3	e3	-	e3	e3
长度	6 mm	3 mm	3.94 mm	-	3.94 mm	6.5 mm	-	6 mm
功能数量	1	1	1	1	1	1	-	1
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	-	ASYNCHRONOUS
封装代码	VBCC	HVSON	SOC	-	SOC	VBCC	SON	VBCC
座面最大高度	1 mm	0.8 mm	1.5 mm	-	1.5 mm	0.8 mm	-	1 mm
串行总线类型	1-WIRE	1-WIRE	1-WIRE	1-WIRE	1-WIRE	1-WIRE	-	-
最大供电电压 (Vsup)	5.25 V	5.25 V	5.25 V	5.25 V	5.25 V	5.25 V	-	5.25 V
最小供电电压 (Vsup)	2.8 V	2.8 V	2.8 V	2.8 V	2.8 V	2.8 V	-	2.8 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	-	-	-
端子面层	Matte Tin (Sn)	Matte Tin (Sn)	Matte Tin (Sn)	Matte Tin (Sn)	Matte Tin (Sn)	-	Matte Tin (Sn)	MATTE TIN
宽度	6 mm	3 mm	3.76 mm	-	3.76 mm	3.5 mm	-	6 mm
湿度敏感等级	-	1	1	-	1	-	1	1
端子节距	-	0.95 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	-	0.95 mm	-

DS2431G+T&R

DS2431G+T&R概述

DS2431G+T&R规格参数

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