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MMBR941

产品描述RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN, MACRO-X-4
产品类别晶体管   
文件大小103KB,共3页
制造商ADPOW
官网地址http://www.advancedpower.com/
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MMBR941概述

RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN, MACRO-X-4

MMBR941规格参数

参数名称属性值
厂商名称ADPOW
包装说明DISK BUTTON, O-CRDB-F4
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
Is SamacsysN
最大集电极电流 (IC)0.2 A
基于收集器的最大容量2.75 pF
集电极-发射极最大电压16 V
配置SINGLE
最高频带ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码O-CRDB-F4
元件数量1
端子数量4
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状ROUND
封装形式DISK BUTTON
极性/信道类型NPN
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式FLAT
端子位置RADIAL
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

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MMBR941/MRF9411
NPN SILICON
LOW NOISE, HIGH-FREQUENCY
Features
Specified @ 12.5V, 870 MHz characteristics
Output Power = 750 mW
Minimum Gain = 8.0dB
Efficiency 60% Typical
Cost Effective Macro-X package
DESCRIPTION:
Designed primarily for wideband large signal stages in
the 800 MHz and UHF frequency ranges.
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
(Tcase = 25°C)
Symbol
V
CEO
V
CBO
V
EBO
I
C
P
D
T
STG
Parameter
Collector-Emitter Voltage
Collector-Base Voltage
Emitter-Base Voltage
Collector Current
Total Device Dissipation @ TC = 50ºC
Storage Junction Temperature Range
Value
16
30
3
200
2.5
-65 to +150
Unit
V
V
V
mA
W
ºC
Thermal Data
R
TH(J-C)
Thermal Resistance Junction-Case
40
°C/W
053-7015 Rev - 9-2002

MMBR941相似产品对比

MMBR941
描述 RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN, MACRO-X-4
厂商名称 ADPOW
包装说明 DISK BUTTON, O-CRDB-F4
Reach Compliance Code unknown
ECCN代码 EAR99
Is Samacsys N
最大集电极电流 (IC) 0.2 A
基于收集器的最大容量 2.75 pF
集电极-发射极最大电压 16 V
配置 SINGLE
最高频带 ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码 O-CRDB-F4
元件数量 1
端子数量 4
封装主体材料 CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状 ROUND
封装形式 DISK BUTTON
极性/信道类型 NPN
认证状态 Not Qualified
表面贴装 YES
端子形式 FLAT
端子位置 RADIAL
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