Jan2N4033/TR,Jan2N4033/TR pdf中文资料,Jan2N4033/TR引脚图,Jan2N4033/TR电路-Datasheet-电子工程世界

Jan2N4033/TR: 产品描述双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT); 产品类别半导体分立半导体晶体管双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT); 文件大小283KB，共7页; 制造商Microsemi; 官网地址https://www.microsemi.com

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Jan2N4033/TR概述

双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)

	Jan2N4033/TR	Jantx2N4033UB/TR	2N4033/TR	2N4033UA/TR	Jantx2N4033/TR
描述	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)	Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-205AD, TO-39, 3 PIN	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
配置	Single	Single	SINGLE	Single	Single
厂商名称	Microsemi	Microsemi	-	Microsemi	Microsemi
产品种类	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)	-	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS	N	N	-	N	N
技术	Si	Si	-	Si	Si
安装风格	Through Hole	SMD/SMT	-	SMD/SMT	Through Hole
封装 / 箱体	TO-39-3	LCC-3	-	LCC-4	TO-39-3
晶体管极性	PNP	PNP	-	PNP	PNP
集电极—发射极最大电压 VCEO	80 V	80 V	-	80 V	80 V
集电极—基极电压 VCBO	80 V	80 V	-	80 V	80 V
发射极 - 基极电压 VEBO	5 V	5 V	-	5 V	5 V
集电极—射极饱和电压	1 V	1 V	-	1 V	1 V
最大直流电集电极电流	1 A	1 A	-	1 A	1 A
最小工作温度	- 65 C	- 65 C	-	- 65 C	- 65 C
最大工作温度	+ 200 C	+ 200 C	-	+ 200 C	+ 200 C
直流电流增益 hFE 最大值	300 at 100 mA, 5 V	300 at 100 mA, 5 V	-	300 at 100 mA, 5 V	300 at 100 mA, 5 V
直流集电极/Base Gain hfe Min	25 at 1 A, 5 V	25 at 1 A, 5 V	-	25 at 1 A, 5 V	25 at 1 A, 5 V
Pd-功率耗散	800 mW	500 mW	-	500 mW	800 mW
工厂包装数量	1	1	-	100	1

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器件捷径: A0 A1 A2 A3 A4 A5 A6 A7 A8 A9 AA AB AC AD AE AF AG AH AI AJ AK AL AM AN AO AP AQ AR AS AT AU AV AW AX AY AZ B0 B1 B2 B3 B4 B5 B6 B7 B8 B9 BA BB BC BD BE BF BG BH BI BJ BK BL BM BN BO BP BQ BR BS BT BU BV BW BX BY BZ C0 C1 C2 C3 C4 C5 C6 C7 C8 C9 CA CB CC CD CE CF CG CH CI CJ CK CL CM CN CO CP CQ CR CS CT CU CV CW CX CY CZ D0 D1 D2 D3 D4 D5 D6 D7 D8 D9 DA DB DC DD DE DF DG DH DI DJ DK DL DM DN DO DP DQ DR DS DT DU DV DW DX DZ

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