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MMST3906

产品描述Transistor,
产品类别晶体管   
文件大小325KB,共4页
制造商Galaxy Semi-Conductor Co Ltd
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MMST3906概述

Transistor,

MMST3906规格参数

参数名称属性值
厂商名称Galaxy Semi-Conductor Co Ltd
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Codeunknown
Is SamacsysN
最大集电极电流 (IC)0.2 A
集电极-发射极最大电压40 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)30
JESD-30 代码R-PDSO-G3
元件数量1
端子数量3
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型PNP
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)250 MHz
最大关闭时间(toff)300 ns
最大开启时间(吨)70 ns
Base Number Matches1

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BL
Galaxy Electrical
PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor
FEATURES
Power dissipation.(P
C
=150mW)
Epitaxial planar die construction.
Complementary to MMST3904.
Also available in lead free version.
Production specification
MMST3906
Pb
Lead-free
APPLICATIONS
General purpose application and switching application.
SOT-323
ORDERING INFORMATION
Type No.
MMST3906
Marking
K5N
Package Code
SOT-323
MAXIMUM RATING
@ Ta=25℃ unless otherwise specified
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
P
C
T
j,
T
stg
Parameter
Collector-Base Voltage
Value
-40
Units
V
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Base Voltage
Collector Current -Continuous
-40
-5
-200
V
V
mA
Collector Dissipation
Junction and Storage Temperature
150
-55~150
mW
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
@ Ta=25℃ unless otherwise specified
Document number: BL/SSSTF052
Rev.A
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