SQD50N04_4M5LT4GE3,SQD50N04_4M5LT4GE3 pdf中文资料,SQD50N04_4M5LT4GE3引脚图,SQD50N04

SQD50N04_4M5LT4GE3: 产品描述MOSFET 40V Vds 20V Vgs TO-252; 产品类别半导体分立半导体晶体管 MOSFET; 文件大小175KB，共8页; 制造商Vishay(威世); 官网地址http://www.vishay.com; 标准

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MOSFET 40V Vds 20V Vgs TO-252

	SQD50N04_4M5LT4GE3	SQD50P03-07-T4_GE3	SQJ464EP-T2_GE3
描述	MOSFET 40V Vds 20V Vgs TO-252	MOSFET -30V Vds 20V Vgs TO-252	MOSFET 60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8L
厂商名称	Vishay(威世)	Vishay(威世)	Vishay(威世)
产品种类	MOSFET	MOSFET	MOSFET
技术	Si	Si	Si
安装风格	SMD/SMT	SMD/SMT	SMD/SMT
封装 / 箱体	TO-252-3	TO-252-3	PowerPAK SO-8
通道数量	1 Channel	1 Channel	1 Channel
晶体管极性	N-Channel	P-Channel	N-Channel
Vds-漏源极击穿电压	40 V	- 30 V	60 V
Id-连续漏极电流	50 A	- 50 A	32 A
Rds On-漏源导通电阻	3.5 mOhms	7 mOhms	17 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压	1.5 V	- 2.5 V	1.5 V
Vgs - 栅极-源极电压	20 V	20 V	20 V
Qg-栅极电荷	130 nC	146 nC	44 nC
最小工作温度	- 55 C	- 55 C	- 55 C
最大工作温度	+ 175 C	+ 175 C	+ 175 C
Pd-功率耗散	136 W	136 W	45 W
配置	Single	Single	Single
通道模式	Enhancement	Enhancement	Enhancement
资格	AEC-Q101	AEC-Q101	AEC-Q101
系列	SQ	SQ	SQ
晶体管类型	1 N-Channel	1 P-Channel	1 N-Channel
正向跨导 - 最小值	105 S	52 S	60 S
下降时间	11 ns	28 ns	8.8 ns
上升时间	11 ns	12 ns	8.9 ns
工厂包装数量	1	1	3000
典型关闭延迟时间	39 ns	63 ns	25.4 ns
典型接通延迟时间	9 ns	11 ns	7.7 ns

器件捷径: S0 S1 S2 S3 S4 S5 S6 S7 S8 S9 SA SB SC SD SE SF SG SH SI SJ SK SL SM SN SO SP SQ SR SS ST SU SV SW SX SY SZ T0 T1 T2 T3 T4 T5 T6 T7 T8 T9 TA TB TC TD TE TF TG TH TI TJ TK TL TM TN TO TP TQ TR TS TT TU TV TW TX TY TZ U0 U1 U2 U3 U4 U6 U7 U8 UA UB UC UD UE UF UG UH UI UJ UK UL UM UN UP UQ UR US UT UU UV UW UX UZ V0 V1 V2 V3 V4 V5 V6 V7 V8 V9 VA VB VC VD VE VF VG VH VI VJ VK VL VM VN VO VP VQ VR VS VT VU VV VW VX VY VZ W0 W1 W2 W3 W4 W5 W6 W7 W8 W9 WA WB WC WD WE WF WG WH WI WJ WK WL WM WN WO WP WR WS WT WU WV WW WY X0 X1 X2 X3 X4 X5 X7 X8 X9 XA XB XC XD XE XF XG XH XK XL XM XN XO XP XQ XR XS XT XU XV XW XX XY XZ Y0 Y1 Y2 Y4 Y5 Y6 Y9 YA YB YC YD YE YF YG YH YK YL YM YN YP YQ YR YS YT YX Z0 Z1 Z2 Z3 Z4 Z5 Z6 Z8 ZA ZB ZC ZD ZE ZF ZG ZH ZJ ZL ZM ZN ZP ZR ZS ZT ZU ZV ZW ZX ZY

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