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Jan2N2605/TR

产品描述双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
产品类别半导体    分立半导体    晶体管    双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)   
文件大小152KB,共5页
制造商Microsemi
官网地址https://www.microsemi.com
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Jan2N2605/TR概述

双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)

Jan2N2605/TR规格参数

参数名称属性值
厂商名称Microsemi
产品种类双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHSN
技术Si
安装风格Through Hole
封装 / 箱体TO-206AB-3
晶体管极性PNP
配置Single
集电极—发射极最大电压 VCEO60 V
集电极—基极电压 VCBO70 V
发射极 - 基极电压 VEBO6 V
集电极—射极饱和电压0.3 V
最大直流电集电极电流30 mA
最小工作温度- 65 C
最大工作温度+ 200 C
直流电流增益 hFE 最大值450 at 500 uA, 5 V
直流集电极/Base Gain hfe Min30 at 10 mA, 5 V
Pd-功率耗散400 mW
工厂包装数量1

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TECHNICAL DATA SHEET
6 Lake Street, Lawrence, MA 01841
1-800-446-1158 / (978) 620-2600 / Fax: (978) 689-0803
Website: http: //www.microsemi.com
Gort Road Business Park, Ennis, Co. Clare, Ireland
Tel: +353 (0) 65 6840044 Fax: +353 (0) 65 6822298
PNP SILICON LOW POWER TRANSISTOR
Qualified per MIL-PRF-19500/354
DEVICES
LEVELS
2N2604
2N2605
2N2604UB
2N2605UB
JAN
JANTX
JANTXV
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
(T
C
= +25°C unless otherwise noted)
Parameters / Test Conditions
Collector-Base Voltage
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Base Voltage
Collector Current
Total Power Dissipation @ T
A
= +25°C
(1)
Operating & Storage Junction Temperature Range
THERMAL CHARACTERISTICS
Parameters / Test Conditions
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient
UB
Note:
1/ Consult 19500/354 for thermal curves
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
A
= +25°C, unless otherwise noted)
Parameters / Test Conditions
OFF CHARACTERTICS
Collector-Base Cutoff Current
V
CB
= 80V dc
2N2604, UB
V
CB
= 70V dc
2N2605, UB
V
CB
= 50V dc
2N2604, 2N2605, UB
V
CB
= 50V dc, T
A
= +150°C
2N2604, 2N2605, UB
Collector-Emitter Breakdown Current
I
C
= 10mAdc
Emitter-Base Cutoff Current
V
EB
= 6.0Vdc
V
EB
= 5.0Vdc
Collector-Emitter Cutoff Current
V
CE
= 50Vdc
Symbol
Min.
Max.
Unit
Symbol
R
θJA
Max.
437
275
Unit
°C/mW
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
P
T
T
J
, T
stg
2N2604
80
60
6.0
30
400
-65 to +200
2N2605
70
Unit
Vdc
Vdc
Vdc
mAdc
mW/°C
°C
TO-46 (TO-206AB)
I
CBO
10.0
10.0
10.0
5.0
60
10.0
2.0
10
uAdc
nAdc
uAdc
uAdc
Vdc
uAdc
ηAdc
ηAdc
UB Package
V
(BR)CEO
I
EBO
I
CES
T4-LDS-0092 Rev. 2 (101320)
Page 1 of 4

Jan2N2605/TR相似产品对比

Jan2N2605/TR Jantx2N2605/TR 2N2605/TR 2N2604/TR
描述 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
厂商名称 Microsemi Microsemi Microsemi Microsemi
产品种类 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS N N N N
技术 Si Si Si Si
安装风格 Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
封装 / 箱体 TO-206AB-3 TO-206AB-3 TO-206AB-3 TO-46-3
晶体管极性 PNP PNP PNP PNP
配置 Single Single Single Single
集电极—发射极最大电压 VCEO 60 V 60 V 60 V 60 V
集电极—基极电压 VCBO 70 V 70 V 70 V 80 V
发射极 - 基极电压 VEBO 6 V 6 V 6 V 6 V
集电极—射极饱和电压 0.3 V 0.3 V 0.3 V 0.3 V
最大直流电集电极电流 30 mA 30 mA 30 mA 30 mA
最小工作温度 - 65 C - 65 C - 65 C - 65 C
最大工作温度 + 200 C + 200 C + 200 C + 200 C
直流电流增益 hFE 最大值 450 at 500 uA, 5 V 450 at 500 uA, 5 V 450 at 500 uA, 5 V 180 at 500 uA, 5 V
直流集电极/Base Gain hfe Min 30 at 10 mA, 5 V 30 at 10 mA, 5 V 30 at 10 mA, 5 V 15 at 100 mA, 5 V
Pd-功率耗散 400 mW 400 mW 400 mW 400 mW
工厂包装数量 1 1 100 100

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