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BCW68HE6327

产品描述800mA, 45V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
产品类别晶体管   
文件大小807KB,共7页
制造商Rochester Electronics
官网地址https://www.rocelec.com/
标准  
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BCW68HE6327概述

800mA, 45V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR

BCW68HE6327规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称Rochester Electronics
Reach Compliance Codeunknown
Is SamacsysN
最大集电极电流 (IC)0.8 A
集电极-发射极最大电压45 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)100
JESD-30 代码R-PDSO-G3
JESD-609代码e3
湿度敏感等级NOT SPECIFIED
元件数量1
端子数量3
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)260
极性/信道类型PNP
认证状态COMMERCIAL
表面贴装YES
端子面层MATTE TIN
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间40
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)200 MHz
Base Number Matches1

BCW68HE6327相似产品对比

BCW68HE6327 BCW67AE6327
描述 800mA, 45V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR 800mA, 32V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
是否无铅 不含铅 不含铅
是否Rohs认证 符合 符合
厂商名称 Rochester Electronics Rochester Electronics
Reach Compliance Code unknown unknown
最大集电极电流 (IC) 0.8 A 0.8 A
集电极-发射极最大电压 45 V 32 V
配置 SINGLE SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 100 35
JESD-30 代码 R-PDSO-G3 R-PDSO-G3
JESD-609代码 e3 e3
湿度敏感等级 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
元件数量 1 1
端子数量 3 3
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) 260 260
极性/信道类型 PNP PNP
认证状态 COMMERCIAL COMMERCIAL
表面贴装 YES YES
端子面层 MATTE TIN MATTE TIN
端子形式 GULL WING GULL WING
端子位置 DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 40 40
晶体管元件材料 SILICON SILICON
标称过渡频率 (fT) 200 MHz 200 MHz
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