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BUZ78-E3045

产品描述Power Field-Effect Transistor, 1.5A I(D), 800V, 8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, 3 PIN
产品类别晶体管   
文件大小155KB,共7页
制造商SIEMENS
官网地址http://www.infineon.com/
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BUZ78-E3045概述

Power Field-Effect Transistor, 1.5A I(D), 800V, 8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, 3 PIN

BUZ78-E3045规格参数

参数名称属性值
厂商名称SIEMENS
零件包装代码TO-220AB
包装说明SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数3
Reach Compliance Codeunknown
Is SamacsysN
雪崩能效等级(Eas)170 mJ
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压800 V
最大漏极电流 (ID)1.5 A
最大漏源导通电阻8 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)30 pF
JESD-30 代码R-PSSO-G2
元件数量1
端子数量2
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型N-CHANNEL
功耗环境最大值40 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)6 A
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置SINGLE
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
最大关闭时间(toff)95 ns
最大开启时间(吨)72 ns
Base Number Matches1

BUZ78-E3045相似产品对比

BUZ78-E3045 BUZ78-E3046 BUZ78-E3044
描述 Power Field-Effect Transistor, 1.5A I(D), 800V, 8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, 3 PIN Power Field-Effect Transistor, 1.5A I(D), 800V, 8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, 3 PIN Power Field-Effect Transistor, 1.5A I(D), 800V, 8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, 4 PIN
厂商名称 SIEMENS SIEMENS SIEMENS
零件包装代码 TO-220AB TO-220AB TO-220AB
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 IN-LINE, R-PSIP-T3 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G3
针数 3 3 3
Reach Compliance Code unknown unknown unknown
Is Samacsys N N N
雪崩能效等级(Eas) 170 mJ 170 mJ 170 mJ
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 800 V 800 V 800 V
最大漏极电流 (ID) 1.5 A 1.5 A 1.5 A
最大漏源导通电阻 8 Ω 8 Ω 8 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss) 30 pF 30 pF 30 pF
JESD-30 代码 R-PSSO-G2 R-PSIP-T3 R-PSSO-G3
元件数量 1 1 1
端子数量 2 3 3
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE IN-LINE SMALL OUTLINE
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL
功耗环境最大值 40 W 40 W 40 W
最大脉冲漏极电流 (IDM) 6 A 6 A 6 A
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES NO YES
端子形式 GULL WING THROUGH-HOLE GULL WING
端子位置 SINGLE SINGLE SINGLE
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON
最大关闭时间(toff) 95 ns 95 ns 95 ns
最大开启时间(吨) 72 ns 72 ns 72 ns
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