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DS1230YP-100+

产品描述NVRAM 256k Nonvolatile SRAM
产品类别存储    存储   
文件大小203KB,共11页
制造商Maxim(美信半导体)
官网地址https://www.maximintegrated.com/en.html
标准
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DS1230YP-100+概述

NVRAM 256k Nonvolatile SRAM

DS1230YP-100+规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称Maxim(美信半导体)
零件包装代码DMA
包装说明, MODULE,34LEAD,1.0
针数34
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
Factory Lead Time8 weeks
最长访问时间100 ns
JESD-30 代码R-XDMA-U34
JESD-609代码e3
内存密度262144 bit
内存集成电路类型NON-VOLATILE SRAM MODULE
内存宽度8
功能数量1
端子数量34
字数32768 words
字数代码32000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织32KX8
封装主体材料UNSPECIFIED
封装等效代码MODULE,34LEAD,1.0
封装形状RECTANGULAR
封装形式MICROELECTRONIC ASSEMBLY
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)245
电源5 V
认证状态Not Qualified
最大待机电流0.0006 A
最大压摆率0.085 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层MATTE TIN
端子形式J INVERTED
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间40
Base Number Matches1
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