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Jan2N6988/TR

产品描述双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
产品类别半导体    分立半导体    晶体管    双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)   
文件大小61KB,共3页
制造商Microsemi
官网地址https://www.microsemi.com
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Jan2N6988/TR概述

双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)

Jan2N6988/TR规格参数

参数名称属性值
厂商名称Microsemi
产品种类双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHSN
技术Si
安装风格SMD/SMT
封装 / 箱体TO-86-14
晶体管极性PNP
配置Quad
集电极—发射极最大电压 VCEO60 V
集电极—基极电压 VCBO60 V
发射极 - 基极电压 VEBO5 V
集电极—射极饱和电压1.6 V
最大直流电集电极电流600 mA
最小工作温度- 65 C
最大工作温度+ 200 C
直流电流增益 hFE 最大值450 at 1 mA, 10 V
直流集电极/Base Gain hfe Min50 at 500 mA, 10 V
Pd-功率耗散400 mW
工厂包装数量1

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TECHNICAL DATA
MULTIPLE (QUAD) PNP SILICON SWITCHING TRANSISTOR
Qualified per MIL-PRF-19500/558
Devices
2N6987
2N6987U
2N6988
Qualified Level
JAN
JANTX
JANTXV
JANS
MAXIMUM RATINGS
(1)
Ratings
Collector-Emitter Voltage
Collector-Base Voltage
(4)
Emitter-Base Voltage
(4)
Collector Current
Total Power Dissipation
(4)
Symbol
V
CEO
V
CBO
V
EBO
I
C
Value
60
60
5.0
600
1.5
1.0
0.4
-65 to +200
Units
Vdc
Vdc
Vdc
mAdc
W
0
2N6987*
TO- 116
@ T
A
= +25
0
C
2N6987
(2)
P
T
2N6987U
(2)
2N6988
(3)
Operating & Storage Junction Temperature Range
T
op
,
T
stg
1) Maximum voltage between transistors shall be
500 Vdc
2) Derate linearly 8.57 mW/
0
C above T
A
= +25
0
C
3) Derate linearly 2.286 mW/
0
C above T
A
= +25
0
C.
4) Ratings apply to each transistor in the array.
C
2N6987U*
20 PIN LEADLESS
2N6988*
14 PIN FLAT PACK
*See appendix A for
package outline
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T
A
= 25
0
C unless otherwise noted)
Characteristics
Symbol
V
(BR)CEO
I
CBO
Min.
60
10
10
10
50
Max.
Unit
Vdc
µAdc
ηAdc
µAdc
ηAdc
OFF CHARACTERISTICS
Collector-Emitter Breakdown Voltage
I
C
= 10 mAdc
Collector-Base Cutoff Current
V
CB
= 60 Vdc
V
CB
= 50 Vdc
Emitter-Base Cutoff Current
V
BE
= 5.0 Vdc
V
EB
= 3.5 Vdc
I
EBO
6 Lake Street, Lawrence, MA 01841
1-800-446-1158 / (978) 794-1666 / Fax: (978) 689-0803
120101
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Jan2N6988/TR相似产品对比

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描述 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Small-Signal BJT 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 60V V(BR)CEO, 4-Element, PNP, Silicon, Ceramic, Glass-Sealed, 14 Pin, HERMETIC SEALED, CERDIP-14 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Small Signal Bipolar Transistor,
厂商名称 Microsemi Microsemi Microsemi Microsemi Microsemi Microsemi - Microsemi Microsemi -
产品种类 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) - 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) - 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) -
RoHS N - N N N N - N N -
技术 Si - Si Si Si Si - Si Si -
安装风格 SMD/SMT - SMD/SMT Through Hole Through Hole Through Hole - SMD/SMT SMD/SMT -
封装 / 箱体 TO-86-14 - LCC-20 TO-116-14 TO-116-14 TO-116-14 - TO-86-14 TO-86-14 -
晶体管极性 PNP - PNP PNP PNP PNP - PNP PNP -
配置 Quad SEPARATE, 4 ELEMENTS Quad Quad Quad Quad SEPARATE, 4 ELEMENTS Quad Quad -
集电极—发射极最大电压 VCEO 60 V - 60 V 60 V 60 V 60 V - 60 V 60 V -
集电极—基极电压 VCBO 60 V - 60 V 60 V 60 V 60 V - 60 V 60 V -
发射极 - 基极电压 VEBO 5 V - 5 V 5 V 5 V 5 V - 5 V 5 V -
集电极—射极饱和电压 1.6 V - 1.6 V 1.6 V 1.6 V 1.6 V - 1.6 V 1.6 V -
最大直流电集电极电流 600 mA - 600 mA 600 mA 600 mA 600 mA - 600 mA 600 mA -
最小工作温度 - 65 C - - 65 C - 65 C - 65 C - 65 C - - 65 C - 65 C -
最大工作温度 + 200 C - + 200 C + 200 C + 200 C + 200 C - + 200 C + 200 C -
直流电流增益 hFE 最大值 450 at 1 mA, 10 V - 450 at 1 mA, 10 V 450 at 1 mA, 10 V 450 at 1 mA, 10 V 450 at 1 mA, 10 V - 450 at 1 mA, 10 V 450 at 1 mA, 10 V -
直流集电极/Base Gain hfe Min 50 at 500 mA, 10 V - 50 at 500 mA, 10 V 50 at 500 mA, 10 V 50 at 500 mA, 10 V 50 at 500 mA, 10 V - 50 at 500 mA, 10 V 50 at 500 mA,10 V -
Pd-功率耗散 400 mW - 0.4 W 1.5 W 1.5 W 1.5 W - 400 mW 400 mW -
工厂包装数量 1 - 100 1 1 100 - 1 100 -

 
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