双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
| 参数名称 | 属性值 |
| 厂商名称 | Microsemi |
| 产品种类 | 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) |
| RoHS | N |
| 技术 | Si |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 / 箱体 | TO-86-14 |
| 晶体管极性 | PNP |
| 配置 | Quad |
| 集电极—发射极最大电压 VCEO | 60 V |
| 集电极—基极电压 VCBO | 60 V |
| 发射极 - 基极电压 VEBO | 5 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 1.6 V |
| 最大直流电集电极电流 | 600 mA |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 最大工作温度 | + 200 C |
| 直流电流增益 hFE 最大值 | 450 at 1 mA, 10 V |
| 直流集电极/Base Gain hfe Min | 50 at 500 mA, 10 V |
| Pd-功率耗散 | 400 mW |
| 工厂包装数量 | 1 |

| Jan2N6988/TR | JANS2N6988 | Jan2N6987U/TR | Jan2N6987/TR | Jantxv2N6987/TR | 2N6987/TR | Jans2N6987/TR | Jantxv2N6988/TR | 2N6988/TR | 2N6987U/TR | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 描述 | 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) | 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Small-Signal BJT | 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) | 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) | 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) | 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) | Power Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 60V V(BR)CEO, 4-Element, PNP, Silicon, Ceramic, Glass-Sealed, 14 Pin, HERMETIC SEALED, CERDIP-14 | 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) | 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) | Small Signal Bipolar Transistor, |
| 厂商名称 | Microsemi | Microsemi | Microsemi | Microsemi | Microsemi | Microsemi | - | Microsemi | Microsemi | - |
| 产品种类 | 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) | - | 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) | 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) | 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) | 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) | - | 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) | 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) | - |
| RoHS | N | - | N | N | N | N | - | N | N | - |
| 技术 | Si | - | Si | Si | Si | Si | - | Si | Si | - |
| 安装风格 | SMD/SMT | - | SMD/SMT | Through Hole | Through Hole | Through Hole | - | SMD/SMT | SMD/SMT | - |
| 封装 / 箱体 | TO-86-14 | - | LCC-20 | TO-116-14 | TO-116-14 | TO-116-14 | - | TO-86-14 | TO-86-14 | - |
| 晶体管极性 | PNP | - | PNP | PNP | PNP | PNP | - | PNP | PNP | - |
| 配置 | Quad | SEPARATE, 4 ELEMENTS | Quad | Quad | Quad | Quad | SEPARATE, 4 ELEMENTS | Quad | Quad | - |
| 集电极—发射极最大电压 VCEO | 60 V | - | 60 V | 60 V | 60 V | 60 V | - | 60 V | 60 V | - |
| 集电极—基极电压 VCBO | 60 V | - | 60 V | 60 V | 60 V | 60 V | - | 60 V | 60 V | - |
| 发射极 - 基极电压 VEBO | 5 V | - | 5 V | 5 V | 5 V | 5 V | - | 5 V | 5 V | - |
| 集电极—射极饱和电压 | 1.6 V | - | 1.6 V | 1.6 V | 1.6 V | 1.6 V | - | 1.6 V | 1.6 V | - |
| 最大直流电集电极电流 | 600 mA | - | 600 mA | 600 mA | 600 mA | 600 mA | - | 600 mA | 600 mA | - |
| 最小工作温度 | - 65 C | - | - 65 C | - 65 C | - 65 C | - 65 C | - | - 65 C | - 65 C | - |
| 最大工作温度 | + 200 C | - | + 200 C | + 200 C | + 200 C | + 200 C | - | + 200 C | + 200 C | - |
| 直流电流增益 hFE 最大值 | 450 at 1 mA, 10 V | - | 450 at 1 mA, 10 V | 450 at 1 mA, 10 V | 450 at 1 mA, 10 V | 450 at 1 mA, 10 V | - | 450 at 1 mA, 10 V | 450 at 1 mA, 10 V | - |
| 直流集电极/Base Gain hfe Min | 50 at 500 mA, 10 V | - | 50 at 500 mA, 10 V | 50 at 500 mA, 10 V | 50 at 500 mA, 10 V | 50 at 500 mA, 10 V | - | 50 at 500 mA, 10 V | 50 at 500 mA,10 V | - |
| Pd-功率耗散 | 400 mW | - | 0.4 W | 1.5 W | 1.5 W | 1.5 W | - | 400 mW | 400 mW | - |
| 工厂包装数量 | 1 | - | 100 | 1 | 1 | 100 | - | 1 | 100 | - |
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