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MSMCJLCE18AE3/TR

产品描述ESD 抑制器/TVS 二极管
产品类别电路保护    ESD 抑制器/TVS 二极管   
文件大小1MB,共8页
制造商Microsemi
官网地址https://www.microsemi.com
标准
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MSMCJLCE18AE3/TR概述

ESD 抑制器/TVS 二极管

MSMCJLCE18AE3/TR规格参数

参数名称属性值
厂商名称Microsemi
产品种类ESD 抑制器/TVS 二极管
发货限制Mouser目前不销售该产品。
Vesd - 静电放电电压触点8 kV
Vesd - 静电放电电压气隙15 kV
极性Unidirectional
通道数量1 Channel
端接类型SMD/SMT
击穿电压20 V
工作电压18 V
钳位电压29.2 V
Ipp - 峰值脉冲电流51 A
封装 / 箱体DO-214AB-2 (SMC)
Pd-功率耗散5 W
最小工作温度- 65 C
最大工作温度+ 150 C
封装Reel
电流额定值5 uA
工厂包装数量100
CC2530/CC2540/CC2541常用寄存器
1.访问模式符号访问模式R/W可读写R只读R0读0R1读1W只写W0写0W1写1H0硬件清除H1硬件设置2.端口寄存器(P0,P1,P2)端口Bit位名称初始化读写描述P07:0P0[7:0]0XFFR/W端口0,通用I/O端口,可以位寻址。XDATA(0x7080).P17:0P1[7:0]0XFFR/W端口1,通用I/O端口,可以位寻址。XDATA(0x7090).P27:5---000R0未...
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