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Datasheet> 器件分类 > 半导体> 存储器 IC> 动态随机存取存储器> IS43LR32800H-6BL-TR

IS43LR32800H-6BL-TR: 产品描述动态随机存取存储器 256M, 1.8V, Mobile DDR, 8Mx32, 166Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, T&R; 产品类别半导体存储器 IC 动态随机存取存储器; 文件大小1MB，共44页; 制造商ISSI(芯成半导体); 官网地址http://www.issi.com/; 标准

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IS43LR32800H-6BL-TR在线购买

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IS43LR32800H-6BL-TR概述

动态随机存取存储器 256M, 1.8V, Mobile DDR, 8Mx32, 166Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, T&R

IS43LR32800H-6BL-TR规格参数

参数名称	属性值
厂商名称	ISSI(芯成半导体)
产品种类	动态随机存取存储器
类型	SDRAM Mobile - DDR
数据总线宽度	32 bit
组织	8 M x 32
封装 / 箱体	BGA-90
存储容量	256 Mbit
最大时钟频率	166 MHz
访问时间	6 ns
电源电压-最大	1.95 V
电源电压-最小	1.7 V
电源电流—最大值	55 mA
最小工作温度	0 C
最大工作温度	+ 70 C
系列	IS43LR16160H
封装	Reel
安装风格	SMD/SMT
工厂包装数量	2500

IS43LR32800H-6BL-TR相似产品对比

	IS43LR32800H-6BL-TR	IS43LR32800H-6BLI-TR	IS43LR32800H-6BLI	IS43LR32800H-6BL
描述	动态随机存取存储器 256M, 1.8V, Mobile DDR, 8Mx32, 166Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, T&R	动态随机存取存储器 256M, 1.8V, Mobile DDR, 8Mx32, 166Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT, T&R	动态随机存取存储器 256M, 1.8V, Mobile DDR, 8Mx32, 166Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT	动态随机存取存储器 256M, 1.8V, Mobile DDR, 8Mx32, 166Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS
厂商名称	ISSI(芯成半导体)	ISSI(芯成半导体)	ISSI(芯成半导体)	ISSI(芯成半导体)
产品种类	动态随机存取存储器	动态随机存取存储器	动态随机存取存储器	动态随机存取存储器
类型	SDRAM Mobile - DDR	SDRAM Mobile - DDR	SDRAM Mobile - DDR	SDRAM Mobile - DDR
数据总线宽度	32 bit	32 bit	32 bit	32 bit
组织	8 M x 32	8 M x 32	8 M x 32	8 M x 32
封装 / 箱体	BGA-90	BGA-90	BGA-90	BGA-90
存储容量	256 Mbit	256 Mbit	256 Mbit	256 Mbit
最大时钟频率	166 MHz	166 MHz	166 MHz	166 MHz
访问时间	6 ns	6 ns	6 ns	6 ns
电源电压-最大	1.95 V	1.95 V	1.95 V	1.95 V
电源电压-最小	1.7 V	1.7 V	1.7 V	1.7 V
电源电流—最大值	55 mA	55 mA	55 mA	55 mA
最小工作温度	0 C	- 40 C	- 40 C	0 C
最大工作温度	+ 70 C	+ 85 C	+ 85 C	+ 70 C
系列	IS43LR16160H	IS43LR16160H	IS43LR16160H	IS43LR16160H
安装风格	SMD/SMT	SMD/SMT	SMD/SMT	SMD/SMT
工厂包装数量	2500	2500	240	240

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