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RAB020

产品描述3 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小74KB,共2页
制造商EDI [Electronic devices inc.]
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RAB020概述

3 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE

RAB020规格参数

参数名称属性值
厂商名称EDI [Electronic devices inc.]
包装说明O-PALF-W2
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
应用FAST RECOVERY
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1.4 V
JESD-30 代码O-PALF-W2
最大非重复峰值正向电流240 A
元件数量1
相数1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最大输出电流3 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压200 V
最大反向恢复时间0.25 µs
表面贴装NO
端子形式WIRE
端子位置AXIAL

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RAB HAB
3 AMPERE AXIAL LEAD RECTIFIERS
PRV TO 1,000 VOLTS
FAST RECOVERY (RAB SERIES)
HIGH TEMPERATURE STABILITY
HIGH SURGE CAPABILITY
PRV
HAB STANDARD RECOVERY
RAB FAST RECOVER
Y
50V
HAB005
RAB005
100V
HAB010
RAB010
200V
HAB020
RAB020
400V
HAB040
RAB040
600V
HAB060
RAB060
800V
HAB080
RAB080
1000V
HAB100
RAB100
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
at
T
A
=25°C
Unless
O therwi se
HAB SERIES
STANDARD
RECOVERY
5
vv
A
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
at
T
A
=25°C
Unless
Otherwise
RAB SERIES
FAST
RECOVERY
5
vv
A
Specified
Max. DC Reverse Current @ PRV
and 25
o
C, I
R
Max. DC Reverse Current @ PRV
and100
o
C, I
R
Max.Forward Voltage Drop
@3.0Amp, V
F
Ambient Operating Temperature
Range,T
A
Storage Temperature Range,T
STG
Specified
Max. DC Reverse Current @ PRV
and 25
o
C, I
R
150
A
00
Max. DC Reverse Current @ PRV
and100
o
C, I
R
00
250
A
1.1 Volts
Max.Forward Voltage Drop
@3.0Amp V
F
1.4 Volts
-55
o
C to
+150
o
C
-55
o
C to
+150
o
C
Max. Rever se Recov ery
Time, T
rr
(Fig.4)
Ambient
Range,T
A
Storage Temperature Range,T
STG
Op erating
Temperature
250 nanosec
-55
o
C to
+150
o
C
-55
o
C to
+150
o
C
Max. One -Half Cycle Surge Current,
-
I
FM
(Surge) @ 60H
Z
300 Amps
Max.One - Half Cycle Surge Current,
I
FM
(Surge) @ 60H
Z
240 Amps
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