电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索

RAB060

产品描述3 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小74KB,共2页
制造商EDI [Electronic devices inc.]
标准
下载文档 详细参数 全文预览

RAB060概述

3 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE

RAB060规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称EDI [Electronic devices inc.]
包装说明O-PALF-W2
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
应用FAST RECOVERY
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1.4 V
JESD-30 代码O-PALF-W2
JESD-609代码e4
最大非重复峰值正向电流240 A
元件数量1
相数1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最大输出电流3 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压600 V
最大反向恢复时间0.25 µs
表面贴装NO
端子面层Silver (Ag)
端子形式WIRE
端子位置AXIAL

文档预览

下载PDF文档
RAB HAB
3 AMPERE AXIAL LEAD RECTIFIERS
PRV TO 1,000 VOLTS
FAST RECOVERY (RAB SERIES)
HIGH TEMPERATURE STABILITY
HIGH SURGE CAPABILITY
PRV
HAB STANDARD RECOVERY
RAB FAST RECOVER
Y
50V
HAB005
RAB005
100V
HAB010
RAB010
200V
HAB020
RAB020
400V
HAB040
RAB040
600V
HAB060
RAB060
800V
HAB080
RAB080
1000V
HAB100
RAB100
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
at
T
A
=25°C
Unless
O therwi se
HAB SERIES
STANDARD
RECOVERY
5
vv
A
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
at
T
A
=25°C
Unless
Otherwise
RAB SERIES
FAST
RECOVERY
5
vv
A
Specified
Max. DC Reverse Current @ PRV
and 25
o
C, I
R
Max. DC Reverse Current @ PRV
and100
o
C, I
R
Max.Forward Voltage Drop
@3.0Amp, V
F
Ambient Operating Temperature
Range,T
A
Storage Temperature Range,T
STG
Specified
Max. DC Reverse Current @ PRV
and 25
o
C, I
R
150
A
00
Max. DC Reverse Current @ PRV
and100
o
C, I
R
00
250
A
1.1 Volts
Max.Forward Voltage Drop
@3.0Amp V
F
1.4 Volts
-55
o
C to
+150
o
C
-55
o
C to
+150
o
C
Max. Rever se Recov ery
Time, T
rr
(Fig.4)
Ambient
Range,T
A
Storage Temperature Range,T
STG
Op erating
Temperature
250 nanosec
-55
o
C to
+150
o
C
-55
o
C to
+150
o
C
Max. One -Half Cycle Surge Current,
-
I
FM
(Surge) @ 60H
Z
300 Amps
Max.One - Half Cycle Surge Current,
I
FM
(Surge) @ 60H
Z
240 Amps
EDI reserves the right to change these specifications at any time without notice.
挑战杯
最近学校举行挑战杯比赛, 要求是“高等学校在校学生申报自然科学类学术论文、 哲学社会科学类社会调查报告和学术论文、 科技发 明制作三类作品 ......
dj狂人 电子竞赛
EEworld祝广大坛友十一长假快乐!
EEworld坛友陆续有人回家了吧,这个十一假期还真是很让人期待呢,可以抽时间多陪陪老人、多陪陪孩子、全家一起找找风景秀美的地方溜达溜达,更可以体验睡觉睡到自然醒的幸福生活。 总之,一 ......
EEWORLD社区 聊聊、笑笑、闹闹
小型锂离子二次电池又有新突破!
小尺寸大功率,尼吉康全新电容器在京发布 近日,日本电子元件制造商尼吉康株式会社在京召开新产品发布会,展示最新研制电容器产品以及介绍了在华的发展战略。尼吉康株式会社于1950年创立,总部 ......
EEWORLD社区 电源技术
求助下,直流36V上载波信号的通信实现
大家好,看到有人做过这样的产品,用36V直流电(二根一正一负)对通信产品的各个节点供电,同时,在这直流电上加载通信信号,在挂在这2根总线(也是电线)上的各个节点上进行供电和解波获取 ......
stm32f103vct6 综合技术交流
【平头哥Sipeed LicheeRV 86 Panel测评】 7 - lvgl 图片颜色显示不对的解决方法
在Lichee RV86上使用lvgl做显示时,发现图片的颜色显示不对,试了以下方法,都没有解决问题。 图片的格式,从png换成jpg 图片转换格式,将转换格式从"True color" 换成 "True c ......
manhuami2007 国产芯片交流
任职七年遭解雇 高通“合约”工程师跳楼自杀。
圣地牙哥高通(Qualcomm)公司总部17日晚上发生员工跳楼事件,死者为华裔工程师吴大卫(David Wu,音译),之前在高通任职七年后遭到解雇,之后改转QCT部门,担任合约工程师(contract en ......
兰博 聊聊、笑笑、闹闹

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 2045  2136  1324  1878  1743  55  18  9  32  59 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved