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RD30HUF1

产品描述Silicon MOSFET Power Transistor,520MHz,30W
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小395KB,共7页
制造商Mitsubishi(日本三菱)
官网地址http://www.mitsubishielectric.com/semiconductors/
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RD30HUF1概述

Silicon MOSFET Power Transistor,520MHz,30W

RD30HUF1规格参数

参数名称属性值
厂商名称Mitsubishi(日本三菱)
包装说明FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
外壳连接SOURCE
配置SINGLE
最小漏源击穿电压30 V
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高频带ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码R-CDFM-F2
元件数量1
端子数量2
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度175 °C
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
极性/信道类型N-CHANNEL
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式FLAT
端子位置DUAL
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON

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描述 Silicon MOSFET Power Transistor,520MHz,30W Silicon MOSFET Power Transistor,520MHz,30W

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