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RD30JSAB3

产品描述30 V, 0.4 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-34
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小35KB,共3页
制造商EIC [EIC discrete Semiconductors]
标准
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RD30JSAB3概述

30 V, 0.4 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-34

RD30JSAB3规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称EIC [EIC discrete Semiconductors]
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
其他特性HIGH RELIABILITY
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型ZENER DIODE
最大动态阻抗200 Ω
JEDEC-95代码DO-34
JESD-30 代码O-LALF-W2
膝阻抗最大值200 Ω
元件数量1
端子数量2
最高工作温度175 °C
最低工作温度-55 °C
封装主体材料GLASS
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散0.4 W
参考标准TS 16949
标称参考电压30.97 V
最大反向电流0.1 µA
反向测试电压23 V
表面贴装NO
技术ZENER
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
最大电压容差2.49%
工作测试电流5 mA

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RD4.7JS ~ RD39JS
V
Z
: 4.7 - 39 Volts
P
D
: 400 mW
SILICON ZENER DIODES
DO - 34 Glass
FEATURES :
* Complete 4.7 to 39 Volts
* High peak reverse power dissipation
* High reliability
* Low leakage current
* Pb / RoHS Free
0.078 (2.0 )max.
1.00 (25.4)
min.
Cathode
Mark
0.118 (3.0)
max.
MECHANICAL DATA
Case:
DO-34 Glass Case
Weight:
approx. 0.13g
0.019 (0.50)max.
1.00 (25.4)
min.
Dimensions in inches and ( millimeters )
MAXIMUM RATINGS
Rating at 25
°
C ambient temperature unless otherwise specified
Rating
Power Dissipation
Forward Current
Junction Temperature Range
Storage Temperature Range
Symbol
P
D
I
F
T
j
T
s
Value
400
150
- 55 to + 175
- 55 to + 175
Unit
mW
mA
°C
°C
Derating Curve
700
Power Dissipation , P
D
(mW)
600
500
400
300
200
100
0
0
25
50
75
100 125
150 175 200
Ambient Temperture , Ta (
°
C)
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